Commandes de plus de
$5000vishay SIA445EDJ-T1-GE3
MOSFET -20V [email protected] 12A P-Ch G-III
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SIA445EDJ-T1-GE3
Fiche de données: SIA445EDJ-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-6
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIA445EDJ-T1-GE3 Description générale
Offering superior performance and reliability, the SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH transistor is ideal for demanding applications where high current and low resistance are required. With a maximum operating temperature of 150°C and a minimum of -55°C, this transistor can withstand extreme temperature conditions without compromising its functionality. The PowerPAK SC70 case style offers efficient heat dissipation, while the 6-pin configuration allows for easy integration into circuit designs. The MSL 1 - Unlimited rating ensures that this transistor is suitable for a wide range of storage and assembly environments
Caractéristiques
- High speed switching and low loss
- Multibit and high frequency operation
- Robust design for high reliability
- Economical solution with high performance
Application
Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing - Battery Switch - Charger Switch - Load SwitchCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-6 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | Qg - Gate Charge: | 48 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 19 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIA |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
Forward Transconductance - Min: | 29 S | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | Part # Aliases: | SIA445EDJ-GE3 |
Unit Weight: | 0.001446 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SIA445EDJ-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds in a compact package. It is suitable for use in a wide range of power management applications, such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control circuits. With its advanced design and performance capabilities, this chip is ideal for maximizing power efficiency and minimizing heat dissipation in electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SIA445EDJ-T1-GE3 chip are SIA445EDJ-T1-GE4 and SIA445EDJ-T2-GE3. These chips have similar functionalities and specifications, making them suitable replacements for each other in various electronic applications. -
Features
SIA445EDJ-T1-GE3 is a MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 10A, and a low on-resistance of 8mΩ. It also features a small footprint and high power density, making it suitable for high-performance applications in power management and motor control. -
Pinout
SIA445EDJ-T1-GE3 has 6 pins and is a 12 V, 5 A low-voltage load switch IC. It is designed to protect power supply systems by providing a controlled turn-on and turn-off of devices to prevent damage and improve efficiency. -
Manufacturer
SIA445EDJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay is a global company that provides components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
Some application areas for SIA445EDJ-T1-GE3 may include data centers, telecommunications equipment, industrial systems, and consumer electronics. This high-performance power MOSFET is suitable for a variety of power management applications where high reliability and efficiency are required. -
Package
The SIA445EDJ-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package type, it is in a form of a dual MOSFET, and measures 2mm x 2mm in size.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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