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$5000vishay SIHG80N60E-GE3
600V Vds, 30V Vgs MOSFET in TO-247AC
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SIHG80N60E-GE3
Fiche de données: SIHG80N60E-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247AC-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIHG80N60E-GE3 Description générale
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Caractéristiques
- Figure-of-merit optimized for high performance
- High-speed logic and data transfer supported
- Low EMI emissions ensured by minimized ringing
Application
- Various applications
- Across different industries
- Wide range of uses
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247AC-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 295 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 520 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | E | Packaging: | Tube |
| Brand: | Vishay / Siliconix | Configuration: | Single |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 153 ns |
| Factory Pack Quantity: | 25 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 239 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 63 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SIHG80N60E-GE3 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications in power electronics. It offers a low on-state resistance and high-current capability, making it suitable for use in applications such as motor drives, inverters, and power supplies. Its advanced design features enhance efficiency and reliability in high-power systems.
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Equivalent
Similar products to SIHG80N60E-GE3 chip include IRGP4062DPbF, IRGS14C40L, and FLY76388M. These chips are also power semiconductor devices designed for high power applications and feature similar specifications such as high voltage and high-speed switching capabilities. -
Features
1. 600V, 80A Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 2. High frequency operation up to 30kHz 3. Low conduction and switching losses for high efficiency 4. High avalanche energy capability for robustness 5. Stable operation over a wide temperature range 6. Integrated gate resistor for simplified drive circuit design -
Pinout
The SIHG80N60E-GE3 is a power MOSFET with a TO-247AC package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The function of this device is to control the flow of current between the drain and source terminals by varying the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
SIHG80N60E-GE3 is manufactured by Vishay, a global company specializing in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, and industrial applications. They are known for their high-quality products and innovative technology solutions. -
Application Field
SIHG80N60E-GE3 is a high-voltage, high-speed switching IGBT designed for use in applications such as industrial motor drives, solar inverters, welding equipment, and UPS systems. It offers low conduction and switching losses, high current capability, and high reliability, making it ideal for demanding power electronics applications. -
Package
The SIHG80N60E-GE3 chip comes in a TO-247 package, with a standard form factor and size of 10.78mm x 15.72mm x 4.8mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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