Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

vishay SIR681DP-T1-RE3

Power Field-Effect Transistor, 71.9A I(D), 80V, 0.0167ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SIR681DP-T1-RE3

Fiche de données: SIR681DP-T1-RE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PowerPAK SO-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SIR681DP-T1-RE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SIR681DP-T1-RE3 Description générale

Power Field-Effect Transistor, 71.9A I(D), 80V, 0.0167ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Caractéristiques

  • Precise control for power applications
  • Enhanced reliability and durability
  • Low noise emission guaranteed
  • High surge current handling capacity

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK SO-8
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Id - Continuous Drain Current: 71.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 11.2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.6 V Qg - Gate Charge: 31.7 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 104 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET Packaging: MouseReel
Brand: Vishay / Siliconix Configuration: Single
Fall Time: 14 ns, 47 ns Length: 6.15 mm
Product: MOSFET Product Type: MOSFET
Rise Time: 11 ns, 91 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 P-Channel
Type: P-Channel 80 V (D-S) MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 36 ns, 42 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns, 40 ns Width: 5.15 mm
Unit Weight: 0.006596 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SIR681DP-T1-RE3 is a MOSFET transistor chip designed for high-power switching applications. It features a low on-resistance and high drain-source voltage rating, making it suitable for use in power management systems, motor control, and LED lighting. This chip is compact in size and offers high efficiency and reliability in various electronic devices.
  • Equivalent

    SIR681DP-T1-RE3 chip is equivalent to IRF1010NPBF, IRL8918PBF, and SI4425BDY-T1-E3 chips.
  • Features

    - Dual N-channel MOSFET - Low on-resistance (24 mOhm) - Low gate charge - Fast switching times - High performance in a small form factor - Suitable for high frequency applications - RoHS compliant and lead-free package
  • Pinout

    SIR681DP-T1-RE3 is a dual P-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. The function of this device is to act as a power switch in various applications such as load management, battery protection, and power supplies.
  • Manufacturer

    Skyworks Solutions, Inc. is the manufacturer of SIR681DP-T1-RE3. It is an American semiconductor company that designs and manufactures high-performance analog and mixed-signal semiconductors. The company serves a broad range of markets including automotive, wireless infrastructure, home automation, industrial, and aerospace applications.
  • Application Field

    SIR681DP-T1-RE3 is commonly used in DC-DC converters, voltage regulators, motor control systems, and power management applications. Its high efficiency and low thermal resistance make it suitable for various electronic devices that require precise power control and voltage regulation.
  • Package

    The SIR681DP-T1-RE3 chip is packaged in a D2PAK-7 package. It is a surface-mount device (SMD) with a form factor of TO-263-7. The size of the chip is approximately 10.4mm x 11mm x 4.5mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander