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$5000
vishay SIR873DP-T1-GE3
Power Field-Effect Transistors
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SIR873DP-T1-GE3
Fiche de données: SIR873DP-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,683 | $0,683 |
10 | $0,569 | $5,690 |
30 | $0,512 | $15,360 |
100 | $0,454 | $45,400 |
500 | $0,420 | $210,000 |
1000 | $0,403 | $403,000 |
En stock: 9 458 PC
SIR873DP-T1-GE3 Description générale
Featuring a Surface Mount transistor mounting style, the SIR873DP-T1-GE3 is easy to integrate into various circuit designs. The low Rds(On) Test Voltage of 10V indicates minimal power loss and efficient operation. Additionally, the Gate Source Threshold Voltage Max of 4V allows for precise control over the switching behavior of the Mosfet
Caractéristiques
- Silicon carbide power devices
- High-speed switching and reliability
- Low inductance and capacitance
- Metal-semiconductor field effect transistors
- Wide bandgap technology advancements
- Increased efficiency and miniaturization
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity: | P-Channel |
Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Id - Continuous Drain Current: | 37 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 39.5 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Qg - Gate Charge: | 25 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 104 W |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
Series: | SIR | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
Fall Time: | 9 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 7 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SIR873DP-T1-GE3 is a high-speed, low-loss power MOSFET chip designed for use in various power management applications. It features a low on-resistance and high frequency switching capability, making it ideal for high efficiency and high power density designs. With its compact size and high performance characteristics, the SIR873DP-T1-GE3 is a versatile and reliable choice for power electronics projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the SIR873DP-T1-GE3 chip include the SIR877DP-T1-GE3 and the SIR878DP-T1-GE3. These chips are also dual P-channel MOSFETs with similar specifications and applications. -
Features
The SIR873DP-T1-GE3 is a silicon carbide Schottky diode with a high voltage rating of 3300V, a low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation up to 175°C. It also has a low reverse recovery current and low leakage current, making it suitable for high-performance power electronics applications. -
Pinout
SIR873DP-T1-GE3 is a dual P-Channel 30 V MOSFET in a PowerPAK® SO-8 package with 8 pins. It is designed for use in DC-DC converters, power management, and load switching applications. The device features a low ON-resistance and fast switching speeds for efficient power control. -
Manufacturer
SIR873DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Semiconductor GmbH, a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide a wide range of products including resistors, capacitors, diodes, and transistors for various industries such as automotive, industrial, and telecommunications. -
Application Field
SIR873DP-T1-GE3 is commonly used in high-speed switching applications such as power supply and motor control in automotive, industrial, and communication systems. It is suitable for applications that require a high level of efficiency, reliability, and performance in a compact package. -
Package
The SIR873DP-T1-GE3 is a Surface Mount D²Pak (TO-263) package. It is a Dual N-Channel MOSFET with a form factor of 5.39mm x 6.43mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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