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vishay SIS412DN-T1-GE3
30V N-Channel MOSFET (Drain-to-Source)
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SIS412DN-T1-GE3
Fiche de données: SIS412DN-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-1212-8
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,142 | $0,710 |
| 50 | $0,123 | $6,150 |
| 150 | $0,115 | $17,250 |
| 500 | $0,105 | $52,500 |
| 3000 | $0,100 | $300,000 |
| 6000 | $0,097 | $582,000 |
En stock: 9 458 PC
SIS412DN-T1-GE3 Description générale
The SIS412DN-T1-GE3 MOSFET is a powerhouse when it comes to power management applications. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 30A, this dual N-channel MOSFET is ready to handle high-power tasks with ease. Its low on-resistance of 5.8mΩ at a Vgs of 10V ensures efficiency in power delivery, making it a reliable choice for demanding projects
Caractéristiques
- Compact package design
- Robust and reliable operation
- Wide temperature range
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 10 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 10 ns, 12 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 15 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 15 ns |
| Part # Aliases: | SIS412DN-GE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SIS412DN-T1-GE3 chip is an integrated circuit chip designed by Silicon Integrated Systems Corp. It is a versatile and high-performance chip that offers multiple interfaces and features for use in various applications. This chip supports Gigabit Ethernet connectivity and provides advanced security features, making it a suitable choice for networking and communication systems.
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Features
The SIS412DN-T1-GE3 is a 10 Gigabit Ethernet switch with 12 ports. It supports advanced features such as Quality of Service (QoS), Virtual Local Area Network (VLAN) management, and Power over Ethernet (PoE) capabilities. It is designed for high-performance networking in small to medium-sized businesses. -
Pinout
The SIS412DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. The pin functions are as follows: Pin 1 - Gate 1, Pin 2 - Source 1, Pin 3 - Drain 1, Pin 4 - Gate 2, Pin 5 - Source 2, Pin 6 - Drain 2. -
Manufacturer
The manufacturer of the SIS412DN-T1-GE3 is a company called Silicon Integrated Systems Corp. (SiS). SiS is a semiconductor company that specializes in the design and manufacturing of integrated circuits, including chipsets, graphics, and multimedia products. -
Application Field
The SIS412DN-T1-GE3 is a power management switch for Ethernet devices in automotive and industrial applications. It can be used in various systems such as infotainment, body electronics, powertrain, and chassis control, providing reliable and efficient power management solutions. -
Package
The SIS412DN-T1-GE3 chip has a package type of D-PAK, a form of Surface Mount, and a size of 6.6mm x 9.45mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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