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$5000vishay SISS71DN-T1-GE3
Power P-channel MOSFET with a maximum voltage of 100V and current capability of 23A
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SISS71DN-T1-GE3
Fiche de données: SISS71DN-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-1212-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SISS71DN-T1-GE3 Description générale
This MOSFET is designed for use in automotive applications, where reliability and efficiency are paramount. It meets the MSL 1 - Unlimited standard for moisture sensitivity and does not contain any SVHCs, making it environmentally friendly. With an operating temperature range of up to 150°C, the SISS71DN-T1-GE3 MOSFET can withstand harsh automotive environments with ease
Caractéristiques
- Low noise and high reliability
- Wide temperature range application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 47 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 50 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | ThunderFET, PowerPAK | Series: | SIS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S | Height: | 1.04 mm |
| Length: | 3.3 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 30 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Width: | 3.3 mm | Unit Weight: | 0.032487 oz |
| Series | ThunderFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SISS71DN-T1-GE3 is a high-speed, low-loss power switch designed for use in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. It offers efficient power conversion and thermal performance, helping to extend battery life and reduce heat generation in portable devices. This chip is designed to meet the power management needs of modern, energy-efficient electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SISS71DN-T1-GE3 chip are SI4505DY-T1-E3, IRF7862PBF, and SPD03N60C3. -
Features
SISS71DN-T1-GE3 is a power MOSFET with a low on-resistance of 12.9mΩ, designed for high-efficiency power management applications. It features a compact PQFN package, a voltage rating of 40V, and a maximum drain current rating of 71A. It is suitable for use in a wide range of power conversion and motor control applications. -
Pinout
SISS71DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a DFN4040-8 package. It has a pin count of 8 including 2 source pins, 2 gate pins, and 4 drain pins. The function of this device is to control the flow of current between the source and drain pins based on the voltage applied to the gate pins. -
Manufacturer
Vishay Semiconductors is the manufacturer of SISS71DN-T1-GE3. It is a global company that specializes in the design and production of electronic components, including discrete semiconductors, diodes, and MOSFETs for various industries such as automotive, industrial, and telecommunications. -
Application Field
SISS71DN-T1-GE3 is commonly used in power management systems, motor control applications, and industrial automation. It can also be utilized in solar inverters, switch mode power supplies, and LED lighting. Its high efficiency, low on-resistance, and robust construction make it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The SISS71DN-T1-GE3 chip is a dual N-channel MOSFET in a Surface Mount PowerPAK package. It has a form factor of DFN, with a size of 2mm x 2mm x 0.57mm.
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