Commandes de plus de
$5000Infineon SPW11N80C3
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: SPW11N80C3
Fiche de données: SPW11N80C3 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
Statut RoHS:
État des stocks: 3 580 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $3,296 | $3,296 |
10 | $2,909 | $29,090 |
30 | $2,679 | $80,370 |
100 | $2,447 | $244,700 |
500 | $2,340 | $1170,000 |
1000 | $2,292 | $2292,000 |
En stock: 3 580 PC
SPW11N80C3 Description générale
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Caractéristiques
- Drain-Source Voltage (Vdss): 800V
- Continuous Drain Current (Id): 11A
- Power Dissipation (Pd): 130W
- Gate Threshold Voltage (Vgs): between 2.5V and 4.5V
- On-Resistance (Rds(on)): 0.54Ω
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | SPW11N80C3 | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Not Recommended |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Part Package Code | TO-247 |
Package Description | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Pin Count | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Application | SWITCHING | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-247 |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SPW11N80C3 chip is a power MOSFET designed for high voltage applications. It features a low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for use in power supply systems, motor control, and other high current applications. The chip is commonly used in industrial and automotive electronics due to its reliability and performance.
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Equivalent
The equivalent products of the SPW11N80C3 chip are the FGH60N60SMD and IRFP7406. These MOSFET transistors have similar specifications and can be used as replacements for the SPW11N80C3 in electronic circuits. -
Features
SPW11N80C3 is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 800V, continuous drain current of 11A, and an ultra-low gate charge for improved efficiency. It also features a high avalanche energy capability and low on-state resistance, making it suitable for high-power applications. -
Pinout
The SPW11N80C3 is an N-channel power MOSFET with a pin count of 3. Pin functions are as follows: Pin 1 is the Gate (G), Pin 2 is the Drain (D), and Pin 3 is the Source (S). It is designed for high-power applications and features a low on-resistance and high current-handling capability. -
Manufacturer
The SPW11N80C3 is manufactured by Infineon Technologies, a leading semiconductor company specializing in power and energy applications. They provide a wide range of products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. Their focus on innovation and quality has made them a trusted supplier in the global semiconductor market. -
Application Field
The SPW11N80C3 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, inverters, and industrial equipment. It can also be used in high-voltage applications requiring high efficiency and reliability. With its low on-state resistance and rugged design, it is ideal for switching applications that require high performance. -
Package
The SPW11N80C3 chip is available in a TO-247 package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.5mm x 19.5mm x 5.5mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits