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TOSHIBA SSM3K2615R,LF
Attributes: N Channel type, ROHS compliant, SSM3K2615R,LF model number, compact SOT-23F package
Marques: Toshiba
Pièce Fabricant #: SSM3K2615R,LF
Fiche de données: SSM3K2615R,LF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT23F-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,249 | $1,245 |
| 50 | $0,205 | $10,250 |
| 150 | $0,185 | $27,750 |
| 500 | $0,162 | $81,000 |
| 3000 | $0,142 | $426,000 |
| 6000 | $0,135 | $810,000 |
En stock: 9 458 PC
SSM3K2615R,LF Description générale
The SSM3K2615R,LF is a state-of-the-art dual N-channel MOSFET that delivers outstanding performance in low-voltage applications. With its ultra-low threshold voltage of just 0.6V, this MOSFET is perfect for power-sensitive devices like smartphones and tablets, where efficient power management is crucial. Its maximum drain-source voltage of 20V and maximum drain current of 1.5A make it well-suited for handling moderate power loads, while its ultra-small TSSOP-6 package ensures compatibility with space-constrained designs. The device's low on-resistance of 0.35 ohms results in minimal power loss and high efficiency, contributing to extended battery life in portable devices. Additionally, the SSM3K2615R,LF features a fast switching speed, which not only reduces switching losses but also enhances overall system performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23F-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV | Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | MOSV |
| Series: | SSM3K2615 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Toshiba | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 50 ns | Height: | 0.9 mm |
| Length: | 2.9 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 150 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Width: | 1.3 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SSM3K2615R,LF chip is a 20V N-channel MOSFET designed for low on-resistance in a small package. It is commonly used in power management applications such as load switches, battery protection circuits, and DC-DC converters. The chip features high efficiency and low power consumption, making it ideal for portable electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products to the SSM3K2615R,LF chip are Vishay's SI2303CDS-T1-GE3, Diodes Inc's DMG1026UW-7, and Nexperia's PSMN1R1-30YLC. These are all similar P-Channel MOSFETs with comparable specifications and performance characteristics. -
Features
Features of SSM3K2615R,LF: 1. N-channel enhancement mode MOSFET 2. Small footprint surface mount package (TSMT5) 3. Low threshold voltage of 0.7V 4. Low on-state resistance of 1.5 ohms 5. Low gate input capacitance for fast switching speeds. -
Pinout
The SSM3K2615R,LF is a Dual N-channel MOSFET with a pin count of 6 (SOT-353 package). It is suitable for low voltage, low current switching applications. The functions of the pins are: Pin 1 (Source1), Pin 2 (Gate1), Pin 3 (Drain1), Pin 4 (Source2), Pin 5 (Gate2), Pin 6 (Drain2). -
Manufacturer
The manufacturer of the SSM3K2615R,LF is Toshiba Semiconductor & Storage. Toshiba Semiconductor & Storage is a leading supplier of semiconductor and storage solutions, focusing on memory, microcontrollers, power devices, and optical semiconductors. The company is known for its innovative technologies and high-quality products in the electronics industry. -
Application Field
The SSM3K2615R,LF is a small signal MOSFET commonly used in applications such as power management, battery protection, load switching, and voltage regulation. It is ideal for portable electronic devices, smartphones, tablets, and other battery-powered applications where low on-resistance and low gate charge are critical for efficient performance. -
Package
The SSM3K2615R,LF chip is in a MOSFET package type, with a surface-mount form, and measures 2.9mm x 2.8mm x 1.0mm in size.
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