Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
ST STD110N8F6
N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: STD110N8F6
Fiche de données: STD110N8F6 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DPAK
Statut RoHS:
État des stocks: 3 355 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,879 | $0,879 |
| 10 | $0,740 | $7,400 |
| 30 | $0,663 | $19,890 |
| 100 | $0,577 | $57,700 |
| 500 | $0,538 | $269,000 |
| 1000 | $0,519 | $519,000 |
En stock: 3 355 PC
STD110N8F6 Description générale
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.
Caractéristiques
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | STripFET |
| Packaging: | Reel | Height: | 2.4 mm |
| Length: | 10.1 mm | Product: | Power MOSFET |
| Series: | STD110N8F6 | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | STripFET | Width: | 6.6 mm |
| Brand: | STMicroelectronics | Fall Time: | 48 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 61 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 162 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Unit Weight: | 0.139332 oz | Tags | STD110N, STD110, STD11, STD1, STD |
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | DPAK |
| feature-standard-package-name1 | TO-252 | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The STD110N8F6 chip is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It offers a low on-resistance and high power density, making it suitable for various power conversion systems. With a voltage rating of 80V and a current rating of 110A, this chip is commonly used in electronic devices that require efficient power management and control.
-
Equivalent
Some equivalent products of the STD110N8F6 chip are STD110N8F7, STD110N8F4, and STD110N8F5. -
Features
The STD110N8F6 is a Power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 80 volts and a continuous drain current of 110 amperes. It offers a low on-resistance of 8.6 milliohms and is suitable for high-power applications such as motor control, SMPS, and DC-DC converters. -
Pinout
The STD110N8F6 has a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET transistor used for switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the STD110N8F6 is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company. -
Application Field
The STD110N8F6 is a power MOSFET primarily used in applications such as power supplies, motor control, and low voltage lighting. Its low on-resistance, high current rating, and excellent thermal performance make it suitable for various high power applications requiring efficient power switching and amplification. -
Package
The STD110N8F6 chip belongs to the PowerFLAT 3.3x3.3-8 package type, which is a small, compact package. It has a size of 3.3 x 3.3 mm.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
An invaluable resource for any professional in the industry.