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ST STD11N65M2
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: STD11N65M2
Fiche de données: STD11N65M2 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DPAK
Statut RoHS:
État des stocks: 3156 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,802 | $0,802 |
| 10 | $0,709 | $7,090 |
| 30 | $0,658 | $19,740 |
| 100 | $0,600 | $60,000 |
| 500 | $0,576 | $288,000 |
| 1000 | $0,563 | $563,000 |
In Stock:3156 PCS
STD11N65M2 Description générale
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Caractéristiques
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 670 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Vgs - Gate-Source Voltage: | 25 V |
| Qg - Gate Charge: | 12.5 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Tradename: | MDmesh II Plus | Packaging: | Reel |
| Product: | Power MOSFET | Series: | STD11N65M2 |
| Brand: | STMicroelectronics | Fall Time: | 15 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 7.5 ns |
| Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Unit Weight: | 0.139332 oz | Tags | STD11N65, STD11N6, STD11N, STD11, STD1, STD |
| Pin Count | 3 | Package Category | Other |
| Released Date | May 20, 2021 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STD11N65M2 chip is a power MOSFET transistor designed for applications requiring high efficiency and power dissipation. It has a low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in switching power supplies, motor control, and automotive electronics. This chip offers improved performance and reliability compared to traditional MOSFETs, making it popular in various industrial and consumer electronic devices.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the STD11N65M2 chip. However, one similar alternative could be the STP11N65M2 from the same manufacturer. It has similar specifications and can be a suitable substitute. -
Features
Features of STD11N65M2 include a drain-source voltage rating of 650V, a continuous drain current of 11A, a low on-resistance, high avalanche ruggedness, and low gate charge. It also has a low gate threshold voltage, fast switching performance, and is RoHS compliant. -
Pinout
The STD11N65M2 is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with 2 of the pins being the gate and the source. The third pin is the drain. The function of this MOSFET is to control the flow of electrical current in a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the STD11N65M2 is STMicroelectronics. It is a multinational electronics and semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor products, including power MOSFETs like the STD11N65M2. STMicroelectronics operates in various markets, serving customers in the automotive, industrial, consumer, and communication sectors, among others. -
Application Field
The STD11N65M2, also known as a power MOSFET, is typically used in applications that require high-performance switching, such as motor control, power supplies, lighting, and electric vehicles. It efficiently handles high currents and voltage levels, making it suitable for various industrial and automotive applications. -
Package
The STD11N65M2 chip is available in a TO-252 (DPAK) package type, with a standard form and size.
Fiche de données PDF
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