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ON 2SA2016-TD-E

Name: 2SA2016-TD-E
Rating: 4.5 (10 reviews)

PNP Bipolar Junction Transistors capable of handling 7A current and 50V voltage

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: 2SA2016-TD-E

Fiche de données: 2SA2016-TD-E Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SOT-89

type de produit: Single Bipolar Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2 960 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2SA2016-TD-E Description générale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 330MHz 3.5 W Surface Mount PCP

Caractéristiques

Superior performance
Ultra-fast switching speed
Advanced thermal management
Precision temperature control
Enhanced reliability features
Optimized power handling

Application

Speaker drivers, Heating drivers, Display drivers

Caractéristiques

Paramètre	Valeur	Paramètre	Valeur
Status	Active	Compliance	PbAHP
Package Type	SOT-89 / PCP-1	Case Outline	419AU
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	1000
ON Target	Y	Polarity	PNP
Type	Low VCE(sat)	VCE(sat) Max (V)	0.39
IC Cont. (A)	7	VCEO Min (V)	50
VCBO (V)	100	VEBO (V)	6
VBE(sat) (V)	0.83	hFE Min	200
hFE Max	560	fT Min (MHz)	290
PTM Max (W)	1.3

Expédition

	Frais d'expédition	Délai de mise en œuvre
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours

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Garanties

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Emballage

Étape1 :Produit
Étape2 :Emballage sous vide
Étape3 :Sac antistatique
Étape4 :Emballage individuel
Étape5 :Boîtes d'emballage
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

Points de pièce

The 2SA2016-TD-E chip is an electronic component used in various applications. It is a PNP silicon transistor with a maximum collector current of 100 mA and a maximum power dissipation of 500 mW. The chip offers high frequency performance, low noise, and low distortion characteristics, making it suitable for use in audio and general-purpose amplifiers.
Features

The features of 2SA2016-TD-E include a low VCE(sat) of 0.2V, a high hFE of 2000, a collector current (IC) of 0.05A, and a power dissipation (PD) of 0.15W. It is a small signal PNP bipolar transistor commonly used in low voltage amplifier applications.
Pinout

The 2SA2016-TD-E is a bipolar transistor. It has a pin count of 3 and the function of each pin is as follows: 1. Collector (C) 2. Base (B) 3. Emitter (E) It is commonly used in audio amplifier applications and other electronic circuits requiring high current gain and low noise performance.
Manufacturer

The manufacturer of the 2SA2016-TD-E is Toshiba. Toshiba is a multinational conglomerate company that specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, and power systems.
Application Field

The 2SA2016-TD-E is a general-purpose NPN bipolar junction transistor that can be used in a wide range of circuits and applications. Some common application areas include audio amplifiers, switching circuits, voltage regulators, and general-purpose amplification where low noise and high current capability are required.
Package

The package type of the 2SA2016-TD-E chip is a TO-252G (DPAK) package. It has a form of SMD (Surface Mount Device) and a size of 6.86mm x 6.86mm x 2.4mm.

2SC4027S-TL-E

Onsemi

2SC5964-TD-E

Onsemi

2SC5707-E

ON Semiconductor, LLC

2SC3648S-TD-E

ON Semiconductor, LLC

2SA2125-TD-E

Onsemi

2SC4135T-E

Onsemi

2SC6097-TL-E

ON Semiconductor, LLC

2SD1815S-TL-E

Onsemi

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire 2SA2016-TD-E PDF Télécharger

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