Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

Infineon AIKW50N65RF5

Best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. Therefore, Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC and DC-AC.The combination of a best-in-class fast-switching IGBT with a very reliable SiC Diode builds a perfect cost-performance trade-off for hard-switching topologies. Due to the Qrr-free unipolar CoolSiC™ Schottky Diode, the Eon of the IGBT will be reduced significantly over silicon-only solutions. This makes the hybrid the first-choice for system-cost-sensitive hard commutation applications, such as Totem Pole topology in Automotive On-Board Charger applications. This results in better margin for low-complexity design-in activities.

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: AIKW50N65RF5

Fiche de données: AIKW50N65RF5 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO247

type de produit: Single Diodes

Statut RoHS:

État des stocks: 3 613 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour AIKW50N65RF5 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

AIKW50N65RF5 Description générale

Best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. Therefore, Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC and DC-AC.The combination of a best-in-class fast-switching IGBT with a very reliable SiC Diode builds a perfect cost-performance trade-off for hard-switching topologies. Due to the Qrr-free unipolar CoolSiC™ Schottky Diode, the Eon of the IGBT will be reduced significantly over silicon-only solutions. This makes the hybrid the first-choice for system-cost-sensitive hard commutation applications, such as Totem Pole topology in Automotive On-Board Charger applications. This results in better margin for low-complexity design-in activities.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Technology IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5 IC max 46.0 A
IF max 40.0 A IFpuls max 100.0 A
ICpuls max 150.0 A

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The AIKW50N65RF5 is a power semiconductor chip designed for high-power applications, such as motor control and power conversion. It features a voltage rating of 650V and a current rating of 50A, making it ideal for use in industrial and automotive environments. The chip also offers low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it efficient and reliable for demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of AIKW50N65RF5 chip include Infineon's FF150R12RT4, FF150R65RF5, and FF1400R12IE4. These chips have similar specifications and are suitable replacements for the AIKW50N65RF5 chip in various applications.
  • Features

    - Silicon Carbide MOSFET with Low On-Resistance - High Blocking Voltage of 650V - Fast Switching and High Temperature Stability - Low Gate Charge and Low Input Capacitance - Enhanced RDS(on) Performance for Efficiency - Suitable for various power electronic applications due to robust construction and reliable performance.
  • Pinout

    AIKW50N65RF5 is a MOSFET transistor with a TO-247 package, which typically has 3 pins. The functions of the pins are Gate, Drain, and Source. This transistor is a high power N-channel device capable of handling up to 50A of current and 650V of voltage.
  • Manufacturer

    The manufacturer of AIKW50N65RF5 is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German multinational corporation that manufactures semiconductors and other electronic components. The company is known for producing a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    AIKW50N65RF5 is a silicon carbide power MOSFET suitable for applications in renewable energy, electric vehicle charging, and industrial power supplies. It is designed for high-power and high-efficiency applications, offering low on-state resistance and high temperature operation.
  • Package

    The AIKW50N65RF5 chip comes in a TO-247 package type with a form of Through-Hole and a size of 10.29 mm x 19.41mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • IDH08SG60C

    IDH08SG60C

    Infineon

    Diodes and Rectifiers SIC Dioden Schottky

  • IDH06SG60C

    IDH06SG60C

    Infineon

    Ideal for demanding industrial applications requir...

  • IDB06S60C

    IDB06S60C

    Infineon

    High-voltage power electronics for efficient MOSFE...

  • SDT12S60

    SDT12S60

    Infineon

    Silicon Carbide Rectifier for High Power Applicati...

  • H30R1602

    H30R1602

    Infineon

    High power IGBT H30R1602 with monolithic body diod...

  • PEF55008EV1.3

    PEF55008EV1.3

    Intel

    Advanced DSL technology enables reliable connectiv...