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$5000Microchip APT8030JVFR
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: APT8030JVFR
Fiche de données: APT8030JVFR Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-227-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT8030JVFR Description générale
Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channelswitch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower costcompared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have beenoptimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltageapplications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching.Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were setat specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. ThePower MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable whenconnected in parallel, very efficient, and lower cost than previousgenerations.
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.
Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | MOSFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Packaging: | Tube |
| Brand: | Microchip Technology | Configuration: | Single |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A | Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 450 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms | Factory Pack Quantity: | 1 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Unit Weight: | 2 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Emballage
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