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$5000Microchip APT84M50L
Trans MOSFET N-CH Si 500V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Marques: Microchip
Pièce Fabricant #: APT84M50L
Fiche de données: APT84M50L Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-264
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 879 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT84M50L Description générale
Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channelswitch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower costcompared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have beenoptimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltageapplications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching.Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were setat specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. ThePower MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable whenconnected in parallel, very efficient, and lower cost than previousgenerations.
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.
Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.
Caractéristiques
- Power Semiconductors, Power Modules and RF Power MOSFETs Catalog
- Eliminating Parasitic Oscillation between Parallel MOSFETs
- High Frequency Resonant Half Bridge
- Improved Power MOSFETS Boost Efficiency IN A 3.5kw Single Phase PFC
- Introduction to MOSFETs
- Latest Technology PT IGBTs vs. Power MOSFETs
- Making Use of Gate Charge Information In MOSFET and IGBT Data Sheets
- Optimizing MOSFET and IGBT Gate Current to Minimize dv/dt Induced Failures in SMPS Circuits
- Turn Off Snubber Design for High Frequency Modules
- VDS(on) VCE(sat) Measurement
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Microchip | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-264-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 84 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | Qg - Gate Charge | 340 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.135 kW | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
| Fall Time | 50 ns | Forward Transconductance - Min | 65 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 70 ns |
| Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time | 155 ns | Typical Turn-On Delay Time | 60 ns |
| Unit Weight | 0.352740 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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Paiement
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Emballage
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