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$5000Infineon BSC028N06LS3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC028N06LS3GATMA1
Fiche de données: BSC028N06LS3GATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 3 371 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC028N06LS3GATMA1 Description générale
Efficiency meets reliability with the BSC028N06LS3GATMA1 Power MOSFET from Infineon Technologies. Featuring a fast switching speed and low gate charge, this MOSFET is engineered for high-frequency switching applications where performance and precision are critical. The 2.1V gate threshold voltage ensures compatibility with a wide range of logic level drive circuits, offering flexibility and versatility in design. Housed in a compact TO-263 package, the BSC028N06LS3GATMA1 provides a space-saving solution without compromising on efficiency or power handling capabilities
Caractéristiques
- Synchronous rectification enabled
- Robust thermal management
- Avalanche-tested for reliability
Application
- Mining equipment
- Electronic controls
- Grid energy storage
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Qg - Gate Charge: | 132 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Series: | OptiMOS 3 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 19 ns | Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Height: | 1.27 mm | Length: | 5.9 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 17 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns | Width: | 5.15 mm |
| Part # Aliases: | BSC028N06LS3 G SP000453652 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC028N06LS3GATMA1 is a power MOSFET chip designed for use in various high-current and high-speed switching applications. It features a low ON-resistance and high current carrying capability, making it ideal for use in power management systems, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSC028N06LS3GATMA1 chip are AON6232, NTMFS4C028N, and IPB180N06S4L-10. These chips have similar specifications and can be used interchangeably in various applications that require a power MOSFET. -
Features
BSC028N06LS3GATMA1 is a 60V, 28A N-channel power MOSFET with low on-resistance, high current capability, and high efficiency. It is suitable for a wide range of applications including power management, motor control, and voltage regulation. This MOSFET also has a small footprint and is RoHS compliant. -
Pinout
BSC028N06LS3GATMA1 is a N-channel MOSFET with a pin count of 3 (gate, source, drain). It is used for power management applications, providing low on-state resistance and high switching performance. -
Manufacturer
The manufacturer of BSC028N06LS3GATMA1 is Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that produces a wide range of products for applications including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality, innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
BSC028N06LS3GATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in high power applications such as energy conversion systems, motor control, and power supplies. It is suitable for use in various industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliability are required. -
Package
The BSC028N06LS3GATMA1 chip is a Power-SO8 package type, with a single form, and dimensions of 5mm x 6.05mm x 1.55mm.
Fiche de données PDF
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