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IRG4PC50WPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor, IRG4PC50WPBF

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: IRG4PC50WPBF

Fiche de données: IRG4PC50WPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO247-3

type de produit: Single IGBTs

Statut RoHS:

État des stocks: 7 321 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRG4PC50WPBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRG4PC50WPBF Description générale

Designed for high power applications, the IRG4PC50WPBF Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) by Infineon Technologies offers impressive features. With a maximum voltage rating of 1200V and a continuous current rating of 46A, this IGBT is ideal for motor control, power supplies, and inverters. Its low on-state voltage of 2.2V and low switching energy of 0.27mJ contribute to its efficiency and performance. The device also features a compact, lightweight TO-247 package for easy mounting and connection, as well as a high short circuit withstand time of 10µs for critical protection. With a wide operating temperature range of -55°C to 150°C and high di/dt capability, the IRG4PC50WPBF is suitable for diverse environmental conditions and high-frequency switching applications

Caractéristiques

  • The IRG4PC50WPBF has a high voltage rating and low leakage current.
  • This IGBT module is suitable for a wide range of applications including motor drives, power supplies, and lighting systems.
  • It features a compact design and low power consumption.

Application

  • Suitable for welding equipment
  • Works well in UPS systems
  • Reliable in industrial controls

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V Continuous Collector Current at 25 C 55 A
Pd - Power Dissipation 200 W Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Infineon Technologies Height 20.7 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 400 Subcategory IGBTs
Width 5.31 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
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Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRG4PC50WPBF is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip. It is designed for use in power electronics applications such as motor controls, inverters, and power supplies where high switching speeds and efficiency are required. The chip offers a low on-state voltage drop and low switching losses, making it suitable for high-power applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IRG4PC50WPBF chip are IRG4PC50UD, IRG4PC50UDPBF, IRG4PC50W, IRG4PC50WPBF7PPBF, and IRGP50B60PD1. These chips are all high-voltage insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high power switching applications.
  • Features

    - Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module - High speed switching capabilities - Low saturation voltage - Enhanced ruggedness and reliability - 600V collector-emitter voltage - 55A collector current - 200W total power dissipation - RoHS compliant
  • Pinout

    IRG4PC50WPBF is a 3-pin IGBT module. The pins correspond to the gate (G), collector (C), and emitter (E) functions.
  • Manufacturer

    IRG4PC50WPBF is manufactured by International Rectifier, an American company that specializes in power management technology. They design and produce high-performance semiconductors for a variety of applications, including automotive, aerospace, and industrial markets. International Rectifier is a leading manufacturer in the field of power management technology.
  • Application Field

    IRG4PC50WPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in applications such as motor drives, power supplies, induction heating, and UPS systems. Its 600V voltage rating and high current capability make it ideal for use in high power electronic devices.
  • Package

    The IRG4PC50WPBF is a semiconductor chip packaged in a TO-247AC form with a size of 3.58mm x 16.51mm x 20.32mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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