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$5000IRG4PC50WPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor, IRG4PC50WPBF
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IRG4PC50WPBF
Fiche de données: IRG4PC50WPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO247-3
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 321 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4PC50WPBF Description générale
Designed for high power applications, the IRG4PC50WPBF Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) by Infineon Technologies offers impressive features. With a maximum voltage rating of 1200V and a continuous current rating of 46A, this IGBT is ideal for motor control, power supplies, and inverters. Its low on-state voltage of 2.2V and low switching energy of 0.27mJ contribute to its efficiency and performance. The device also features a compact, lightweight TO-247 package for easy mounting and connection, as well as a high short circuit withstand time of 10µs for critical protection. With a wide operating temperature range of -55°C to 150°C and high di/dt capability, the IRG4PC50WPBF is suitable for diverse environmental conditions and high-frequency switching applications
Caractéristiques
- The IRG4PC50WPBF has a high voltage rating and low leakage current.
- This IGBT module is suitable for a wide range of applications including motor drives, power supplies, and lighting systems.
- It features a compact design and low power consumption.
Application
- Suitable for welding equipment
- Works well in UPS systems
- Reliable in industrial controls
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 55 A |
Pd - Power Dissipation | 200 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Brand | Infineon Technologies | Height | 20.7 mm |
Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 400 | Subcategory | IGBTs |
Width | 5.31 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRG4PC50WPBF is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip. It is designed for use in power electronics applications such as motor controls, inverters, and power supplies where high switching speeds and efficiency are required. The chip offers a low on-state voltage drop and low switching losses, making it suitable for high-power applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IRG4PC50WPBF chip are IRG4PC50UD, IRG4PC50UDPBF, IRG4PC50W, IRG4PC50WPBF7PPBF, and IRGP50B60PD1. These chips are all high-voltage insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high power switching applications. -
Features
- Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module - High speed switching capabilities - Low saturation voltage - Enhanced ruggedness and reliability - 600V collector-emitter voltage - 55A collector current - 200W total power dissipation - RoHS compliant -
Pinout
IRG4PC50WPBF is a 3-pin IGBT module. The pins correspond to the gate (G), collector (C), and emitter (E) functions. -
Manufacturer
IRG4PC50WPBF is manufactured by International Rectifier, an American company that specializes in power management technology. They design and produce high-performance semiconductors for a variety of applications, including automotive, aerospace, and industrial markets. International Rectifier is a leading manufacturer in the field of power management technology. -
Application Field
IRG4PC50WPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in applications such as motor drives, power supplies, induction heating, and UPS systems. Its 600V voltage rating and high current capability make it ideal for use in high power electronic devices. -
Package
The IRG4PC50WPBF is a semiconductor chip packaged in a TO-247AC form with a size of 3.58mm x 16.51mm x 20.32mm.
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