Commandes de plus de
$5000Infineon BSC032N03SG
Surface Mount Transistor
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC032N03SG
Fiche de données: BSC032N03SG Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SON-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 2 419 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC032N03SG Description générale
Infineon Technologies delivers exceptional performance with the BSC032N03SG N-channel Power MOSFET transistor, designed for high-power applications in automotive, industrial, and consumer electronics. With a Vds of 30V and Id of 70A, this transistor is built to handle high current and high voltage requirements with ease. Its low Rds(on) of 3.2 mΩ works towards minimizing power losses and boosting efficiency in power conversion applications, while the low gate charge of 37 nC ensures rapid switching speeds and reduced switching losses for optimized performance. Housed in a TO-263 package, the BSC032N03SG offers superior thermal performance and hassle-free PCB mounting for added convenience. Moreover, its RoHS compliance underscores its commitment to environmental responsibility, making it a trustworthy and sustainable choice for power MOSFET applications
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TDSON-8 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 2.8 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Cut Tape | Brand: | Infineon Technologies |
Configuration: | Single | Fall Time: | 5.4 ns |
Height: | 1.27 mm | Length: | 5.9 mm |
Moisture Sensitive: | Yes | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 7 ns | Factory Pack Quantity: | 5000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
Width: | 5.15 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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