ZXMN6A07FTA
Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN
Marques: Diodes Incorporated
Pièce Fabricant #: ZXMN6A07FTA
Fiche de données: ZXMN6A07FTA Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7979 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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5 | $0,146 | $0,730 |
50 | $0,126 | $6,300 |
150 | $0,119 | $17,850 |
500 | $0,108 | $54,000 |
3000 | $0,082 | $246,000 |
6000 | $0,079 | $474,000 |
In Stock:7979 PCS
ZXMN6A07FTA Description générale
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 806mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Current Id Max: 1A; Current Temperature: 25°C; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Junction Temperature Tj Min: -55°C; No. of Transistors: 1; On State Resistance Max: 400mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max: 625mW; Pulse Current Idm: 4A; SMD Marking: 7N6; Voltage Vds Typ: 60V; Voltage Vgs Max: 3V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Min: 1V
Caractéristiques
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate charge
- Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
- PPAP capable (Note 4)
Application
SWITCHINGCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 1.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 3.2 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 625 mW |
Channel Mode | Enhancement | Series | ZXMN6A07 |
Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Single |
Fall Time | 2 ns | Forward Transconductance - Min | 2.3 S |
Height | 1.02 mm | Length | 3.04 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 1.4 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 4.9 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 1.8 ns | Width | 1.4 mm |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The ZXMN6A07FTA chip is a type of Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that is commonly used in electronic devices. It features a low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for applications such as power management, motor control, and switching circuits.
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Features
The ZXMN6A07FTA is a N-channel enhancement mode MOSFET that provides low on-resistance and fast switching capability. Key features include a voltage rating of 60V, a continuous drain current of 4.4A, and a low threshold voltage of 1V. It is designed for use in a wide range of applications such as power management, load switching, and PWM. -
Pinout
The ZXMN6A07FTA is a 6-pin Dual N-channel enhancement mode MOSFET. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits. -
Manufacturer
ZXMN6A07FTA is manufactured by Diodes Incorporated. It is a leading global manufacturer and supplier of discrete, logic, and analog semiconductor products. Diodes Incorporated designs, manufactures, and sells a diverse portfolio of application-specific standard products (ASSPs) and customizable solutions to various industries, including automotive, communications, consumer electronics, and more. -
Application Field
The ZXMN6A07FTA is a small signal MOSFET with low on-resistance and low gate capacitance. It is commonly used in applications such as power management, battery charging, motor control, and low voltage switching. -
Package
The ZXMN6A07FTA chip is available in a SOT23 package type, has an N-channel MOSFET form, and has a small size.
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