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Infineon BSC098N10NS5ATMA1

OptiMOS 5 MOSFET power transistor rated for 100V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: BSC098N10NS5ATMA1

Fiche de données: BSC098N10NS5ATMA1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PG-TDSON-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 2 852 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BSC098N10NS5ATMA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BSC098N10NS5ATMA1 Description générale

With a strong focus on automotive systems like power distribution, motor control, and battery management, the BSC098N10NS5ATMA1 adheres to strict automotive quality regulations, ensuring its suitability for operation in challenging environments characterized by high temperatures and vibrations. In addition to its robust design, this MOSFET comes equipped with a host of protective features such as overcurrent safeguarding and thermal shutdown mechanisms, elevating the reliability and safety standards of automotive systems

Caractéristiques

  • Halogen-free and RoHS compliant
  • N-channel MOSFET with high-gain amp
  • Low-input capacitance for filtering use
    • High-voltage drain-source voltage rating
    • Fast switching frequency support
    • Suitable for DC-DC converter use

    Application

    • Hybrid electric vehicles
    • DC bus voltage converters
    • Solar power inverters

    Caractéristiques

    Paramètre Valeur Paramètre Valeur
    Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
    RoHS: Y Technology: Si
    Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PG-TDSON-8
    Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 60 A
    Rds On - Drain-Source Resistance: 9.8 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.2 V
    Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V Qg - Gate Charge: 22 nC
    Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
    Pd - Power Dissipation: 69 W Configuration: Single
    Channel Mode: Enhancement Tradename: OptiMOS
    Packaging: Reel Height: 1.27 mm
    Length: 5.9 mm Series: OptiMOS 5
    Transistor Type: 1 N-Channel Width: 5.15 mm
    Brand: Infineon Technologies Forward Transconductance - Min: 28 S
    Fall Time: 4 ns Product Type: MOSFET
    Rise Time: 5 ns Factory Pack Quantity: 5000
    Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
    Typical Turn-On Delay Time: 10 ns Part # Aliases: BSC098N10NS5 SP001241598
    Unit Weight: 0.005503 oz Tags BSC098N10NS5A, BSC098, BSC09, BSC0, BSC
    RHoS yes PBFree yes
    HalogenFree yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BSC098N10NS5ATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in various electronic devices and systems. It offers high performance, low on-resistance, and efficient power handling capabilities. With a compact form factor and advanced technology, this chip is suitable for applications in power management, motor drives, and other industrial and automotive systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC098N10NS5ATMA1 chip are Infineon IPP098N10N5AT G, Nexperia PHN10NQ10T, ON Semiconductor NTMFS5C027N, ROHM RJK098N10, and Toshiba TK11A60U. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and characteristics.
  • Features

    BSC098N10NS5ATMA1 is a 100V N-channel Power MOSFET. It has a maximum current rating of 98A and a low on-resistance of 5mΩ. The MOSFET is designed for high efficiency and power density in applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. It offers reliable performance and thermal characteristics for demanding power applications.
  • Pinout

    The BSC098N10NS5ATMA1 is a Power MOSFET with a pin count of 8. It is used for high-side switch applications in power supplies, battery chargers, and motor control. The function of the pins includes gate control, source and drain connections, and thermal management.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC098N10NS5ATMA1. It is a semiconductor company that specializes in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a wide range of applications in the automotive, industrial, and consumer markets.
  • Application Field

    The BSC098N10NS5ATMA1 is a power MOSFET designed for use in high-current and high-voltage applications, such as motor control, power supplies, and lighting. It is suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications where high efficiency and reliability are required.
  • Package

    The BSC098N10NS5ATMA1 chip comes in a D2PAK package type, with a form of surface mount and a size of 10.6mm x 8.7mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BSC098N10NS5ATMA1 PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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