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Infineon BSS816NWH6327XTSA1
Automotive-grade N-channel MOSFET with a voltage rating of 20V and a current rating of 1.4A, housed in a 3-pin SOT-323 package
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSS816NWH6327XTSA1
Fiche de données: BSS816NWH6327XTSA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PG-SOT323-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,111 | $0,555 |
| 50 | $0,090 | $4,500 |
| 150 | $0,081 | $12,150 |
| 500 | $0,073 | $36,500 |
| 3000 | $0,058 | $174,000 |
| 6000 | $0,055 | $330,000 |
En stock: 9 458 PC
BSS816NWH6327XTSA1 Description générale
- The BSS816NWH6327XTSA1 transistor is a high-performance N-Channel device with a single configuration, delivering a continuous drain current of 1.4A and a drain-source voltage of 20V. Its low ON resistance of 160mOhm ensures minimized power losses, while the gate-source voltage of 8V allows precise control. The transistor features a fast fall time of 2.2ns and rise time of 9ns, facilitating quick switching in applications requiring high speed. With turn-OFF delay time of 11ns and turn-ON delay time of 5.3ns, it offers efficient operation. Operating temperature range from -55°C to 150°C makes it suitable for a wide range of environments. The SOT-323 package with 3 pins enables easy surface mount installation. Automotive qualified to AEC-Q101 standards, it meets industry requirements for reliability. With a power dissipation of 500mW and maximum reflow temperature of 260°C, this transistor is a dependable solution for various electronic applications
Caractéristiques
- Real-Time Clock Functionality
- Audio Signal Amplification
- Digital Display Accuracy
Application
- Electric vehicles
- Smart meters
- Telecommunications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SOT-323 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | K47 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active and preferred | hfgr | B |
| packageName | PG-SOT323-3 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP000917562 |
| fourBlockPackageName | PG-SOT323-3-2 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSS816NWH6327XTSA1 | completelyPbFree | yes |
| sapMatnrSali | SP000917562 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSS816NWH6327XTSA1 chip is a dual-channel low-saturation voltage N-channel MOSFET designed for use in high-side switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and is suitable for battery protection, power management, and load switching applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSS816NWH6327XTSA1 chip include BSS816PW6327XTSA1, BSS816PWH6327XTSA1, and BSS816NXH6327XTSA1. These chips have similar specifications and functions, making them suitable replacements for the BSS816NWH6327XTSA1 in various applications. -
Features
The BSS816NWH6327XTSA1 is a logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) with a low threshold voltage and high-speed switching capabilities. It offers a high continuous drain current, low on-state resistance, and low input capacitance, making it suitable for use in various power management applications. -
Pinout
The BSS816NWH6327XTSA1 is a N-channel MOSFET transistor with 6 pins. Pin functions are as follows: 1. Gate (G) 2. Source (S) 3. Drain (D) 4. ESD protection diode (S1) 5. ESD protection diode (S2) 6. Vbat protection diode (D1) -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSS816NWH6327XTSA1. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in designing and producing a wide range of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSS816NWH6327XTSA1 is a dual N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) commonly used in power management applications such as battery chargers, DC-DC converters, and voltage regulators. It is also utilized in portable electronics, power supplies, and motor control systems due to its high efficiency and reliability. -
Package
The BSS816NWH6327XTSA1 chip is packaged in a SOT-23 form, with a size of 2.9 mm x 1.3 mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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