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$5000NXP AFT27S010NT1
RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
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Marques: NXP
Pièce Fabricant #: AFT27S010NT1
Fiche de données: AFT27S010NT1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PLD-1.5W
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AFT27S010NT1 Description générale
RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
Transistor Polarity: | N-Channel | Technology: | Si |
Id - Continuous Drain Current: | 90 mA | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | - 500 mV, 65 V |
Rds On - Drain-Source Resistance: | - | Operating Frequency: | 100 MHz to 3.6 GHz |
Gain: | 21.7 dB | Output Power: | 1.26 W |
Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PLD-1.5W |
Packaging: | MouseReel | Brand: | NXP Semiconductors |
Moisture Sensitive: | Yes | Number of Channels: | 1 Channel |
Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | AFT27S010N |
Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | LDMOS FET | Type: | RF Power MOSFET |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
Part # Aliases: | 935317972515 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The AFT27S010NT1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in RF power amplifier applications. It offers high efficiency, reliability, and ruggedness, making it suitable for various wireless communication systems. This chip is capable of delivering high output power levels with low distortion, making it a popular choice for RF power amplification needs.
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Equivalent
Equivalent products of AFT27S010NT1 chip include NXP BLF245, Infineon BLF645, STMicroelectronics SD2932, Toshiba MGFC39V6175, and Cree CGHV40150. These products are all RF power transistors used in various high-power applications. -
Features
- 1GB PC4-2400T-R DDR4 SDRAM - 16GB Built-in Flash - 10KHz to 7GHz Frequency Range - 10-bit Resolution - 288MSamples of Internal Acquisition Memory - 90dB SFDR These are some of the main features of AFT27S010NT1. -
Pinout
The AFT27S010NT1 is a GaAs RF power transistor with a pin count of 4. Pin functions are RF input, ground, RF output, and bias. This transistor is commonly used in high-power amplifier applications for wireless communication systems. -
Manufacturer
The manufacturer of the AFT27S010NT1 is Freescale Semiconductor Inc., which is a multinational semiconductor manufacturer that focuses on creating embedded processors and analog and sensors products for automotive, industrial, consumer, and networking markets. -
Application Field
The AFT27S010NT1 is commonly used in RF power amplifiers for wireless infrastructure applications, such as base stations, repeaters, and small cell systems. It is also found in high-power industrial, scientific, and medical (ISM) equipment that require a compact and efficient RF power amplifier solution. -
Package
The AFT27S010NT1 chip comes in a surface mount package type, specifically a SOIC (Small Outline Integrated Circuit) form. It has a size of 4.90mm x 3.91mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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