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NXP AFT27S010NT1

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP

Pièce Fabricant #: AFT27S010NT1

Fiche de données: AFT27S010NT1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PLD-1.5W

type de produit: RF FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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AFT27S010NT1 Description générale

RF Mosfet 28 V 90 mA 728MHz ~ 3.6GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si
Id - Continuous Drain Current: 90 mA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 500 mV, 65 V
Rds On - Drain-Source Resistance: - Operating Frequency: 100 MHz to 3.6 GHz
Gain: 21.7 dB Output Power: 1.26 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: MouseReel Brand: NXP Semiconductors
Moisture Sensitive: Yes Number of Channels: 1 Channel
Product Type: RF MOSFET Transistors Series: AFT27S010N
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: LDMOS FET Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 10 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
Part # Aliases: 935317972515

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The AFT27S010NT1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in RF power amplifier applications. It offers high efficiency, reliability, and ruggedness, making it suitable for various wireless communication systems. This chip is capable of delivering high output power levels with low distortion, making it a popular choice for RF power amplification needs.
  • Equivalent

    Equivalent products of AFT27S010NT1 chip include NXP BLF245, Infineon BLF645, STMicroelectronics SD2932, Toshiba MGFC39V6175, and Cree CGHV40150. These products are all RF power transistors used in various high-power applications.
  • Features

    - 1GB PC4-2400T-R DDR4 SDRAM - 16GB Built-in Flash - 10KHz to 7GHz Frequency Range - 10-bit Resolution - 288MSamples of Internal Acquisition Memory - 90dB SFDR These are some of the main features of AFT27S010NT1.
  • Pinout

    The AFT27S010NT1 is a GaAs RF power transistor with a pin count of 4. Pin functions are RF input, ground, RF output, and bias. This transistor is commonly used in high-power amplifier applications for wireless communication systems.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the AFT27S010NT1 is Freescale Semiconductor Inc., which is a multinational semiconductor manufacturer that focuses on creating embedded processors and analog and sensors products for automotive, industrial, consumer, and networking markets.
  • Application Field

    The AFT27S010NT1 is commonly used in RF power amplifiers for wireless infrastructure applications, such as base stations, repeaters, and small cell systems. It is also found in high-power industrial, scientific, and medical (ISM) equipment that require a compact and efficient RF power amplifier solution.
  • Package

    The AFT27S010NT1 chip comes in a surface mount package type, specifically a SOIC (Small Outline Integrated Circuit) form. It has a size of 4.90mm x 3.91mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

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  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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