Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

H5TQ4G63AFR-RDC

Reliable and efficient DRAM module for data storage and processi

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Sk Hynix Inc

Pièce Fabricant #: H5TQ4G63AFR-RDC

Fiche de données: H5TQ4G63AFR-RDC Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: FBGA-96

type de produit: Mémoire

Statut RoHS:

État des stocks: 7 143 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour H5TQ4G63AFR-RDC ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

H5TQ4G63AFR-RDC Description générale

The H5TQ4G63AFR-RDC is a cutting-edge 4Gb LPDDR3 mobile DRAM chip crafted by SK Hynix, delivering superior performance and efficiency. Boasting a generous storage capacity of 4 gigabits and a lightning-fast operating speed of up to 1866MHz, this chip is tailor-made for the demands of modern mobile devices such as smartphones and tablets. Its ability to swiftly and effectively process data sets it apart from the competition, offering users a seamless and responsive experience

Caractéristiques

  • Power Consumption: Low power operation
  • Voltage Range: 1.2V to 1.35V
  • Operating Frequency: Up to 1333MHz
  • Data Transfer Rate: PC3-12800

Application

  • Smart TV
  • Augmented reality headset
  • Robotics control unit

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Obsolete
Ihs Manufacturer SK HYNIX INC Part Package Code BGA
Package Description TFBGA, BGA96,9X16,32 Pin Count 96
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.36
Access Mode MULTI BANK PAGE BURST Access Time-Max 0.195 ns
Additional Feature AUTO/SELF REFRESH Clock Frequency-Max (fCLK) 933 MHz
I/O Type COMMON Interleaved Burst Length 4,8
JESD-30 Code R-PBGA-B96 Length 13 mm
Memory Density 4294967296 bit Memory IC Type DDR3 DRAM
Memory Width 16 Number of Functions 1
Number of Ports 1 Number of Terminals 96
Number of Words 268435456 words Number of Words Code 256000000
Operating Mode SYNCHRONOUS Operating Temperature-Max 85 °C
Organization 256MX16 Output Characteristics 3-STATE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Code TFBGA
Package Equivalence Code BGA96,9X16,32 Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified Refresh Cycles 8192
Seated Height-Max 1.2 mm Self Refresh YES
Sequential Burst Length 4,8 Standby Current-Max 0.017 A
Supply Current-Max 0.225 mA Supply Voltage-Max (Vsup) 1.575 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 1.425 V Supply Voltage-Nom (Vsup) 1.5 V
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade OTHER Terminal Form BALL
Terminal Pitch 0.8 mm Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The H5TQ4G63AFR-RDC is a high-performance NAND flash memory chip commonly used in mobile devices, offering fast data transfer rates and high storage capacity. It's designed for applications requiring reliable and efficient storage solutions.
  • Equivalent

    Equivalent products to the H5TQ4G63AFR-RDC chip include: 1. Micron MT29F32G08CBACAWP-IT: 4Gb NAND Flash. 2. Samsung K4G80325FC-HC28: 4Gb LPDDR4X SDRAM. 3. SK Hynix H9HCNNN8GALUZR-NEH: 4Gb LPDDR4X SDRAM.
  • Features

    H5TQ4G63AFR-RDC is a DDR3 SDRAM chip with a capacity of 4 gigabits. It operates at a speed of 2133 MHz and is designed for mobile devices. It features low power consumption and a compact form factor, making it suitable for use in smartphones, tablets, and other portable electronics.
  • Pinout

    The H5TQ4G63AFR-RDC is a 4Gb LPDDR4 SDRAM with a 78-ball FBGA package. It has a 27-bit data bus with a supply voltage of 1.1V. The pin count is 78 pins. This memory chip is commonly used in mobile devices and offers high-performance and low power consumption.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the H5TQ4G63AFR-RDC is SK Hynix. SK Hynix is a South Korean semiconductor company that specializes in the production of memory chips, including dynamic random-access memory (DRAM) and NAND flash memory. It's one of the world's largest memory chip manufacturers, competing with companies like Samsung and Micron.
  • Application Field

    The H5TQ4G63AFR-RDC is commonly used in mobile devices, such as smartphones and tablets, for its low power consumption and high data transfer rates. It's also suitable for automotive applications where reliability and performance are crucial, and in industrial and IoT devices where space constraints and energy efficiency are important considerations.
  • Package

    The H5TQ4G63AFR-RDC chip is packaged in a FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) format with a size of 8mm x 10mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander