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Infineon IHW20N120R3
Insulated Gate Bipolar Transistor with 40A I(C) and 1200V V(BR)CES in N-Channel TO-247 package
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IHW20N120R3
Fiche de données: IHW20N120R3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 240 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $2,347 | $2,347 |
10 | $2,079 | $20,790 |
30 | $1,912 | $57,360 |
100 | $1,740 | $174,000 |
500 | $1,663 | $831,500 |
1000 | $1,629 | $1629,000 |
En stock: 7 240 PC
IHW20N120R3 Description générale
Beyond its raw power and efficiency, the IHW20N120R3 stands sentinel with an array of protective features, including safeguards against short circuits and over-temperature scenarios. These fortifications fortify its reliability, ensuring uninterrupted operation even in the harshest of industrial landscapes. In essence, the IHW20N120R3 embodies not just technological innovation, but a steadfast commitment to excellence in every facet of its design and function
Caractéristiques
- Powerful monolithic body diode with low forward voltage
- designed for soft commutation only
- TRENCHSTOP™ technology applications offers:
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- - low VCEsat
- - easy parallel switching capability due to positive
- temperature coefficient in VCEsat
- Low EMI
- Qualified according to JESD-022 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models:
- http://www.infineon.com/igbt/
Application
POWER CONTROLCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | Infineon | Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.48 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 40 A | Pd - Power Dissipation | 310 W |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Series | RC | Brand | Infineon Technologies |
Continuous Collector Current | 40 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 240 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | TRENCHSTOP |
Part # Aliases | SP000437702 IHW2N12R3XK IHW20N120R3FKSA1 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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