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$5000vishay SI2302CDS-T1-E3
MOSFET with N-Channel configuration and a Drain-to-Source voltage rating of 20 volts
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI2302CDS-T1-E3
Fiche de données: SI2302CDS-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2302CDS-T1-E3 Description générale
N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Caractéristiques
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 57 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
| Qg - Gate Charge | 3.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 710 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 13 S | Height | 1.45 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor designed for low voltage, low power switching applications. It has a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -2.6A. The chip is housed in a Small Outline package (SOT-23) for easy mounting on PCBs.
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Equivalent
The equivalent products of the SI2302CDS-T1-E3 chip are SI2302DS-T1-E3, SI2302CDS-T1-GE3, and SI2302CDS-T1-RE3. These chips are N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, suitable for a variety of low power applications. -
Features
The SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor with a drain to source voltage of -20V and a continuous drain current of -2.3A. It has low input capacitance and high-gain bandwidth product, making it ideal for low-power applications such as portable electronics and power management circuits. -
Pinout
The SI2302CDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used for switching and amplification purposes in electronic circuits. This MOSFET can handle high power levels and is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2302CDS-T1-E3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is a global company that designs, manufactures, and distributes electronic components and solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. Vishay Intertechnology is a leading supplier of discrete semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET commonly used in power management circuits, battery protection, and portable electronics applications. It can also be used in load switches, backlighting controls, and DC-DC converters due to its low on-state resistance and high current handling capability. -
Package
The SI2302CDS-T1-E3 chip comes in a SOT-23 package with a form factor of Surface Mount. Its size is 2.9mm x 1.3mm x 1.3mm (L x W x H).
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