Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

Infineon IKQ75N120CH3XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IKQ75N120CH3XKSA1

Fiche de données: IKQ75N120CH3XKSA1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO247-3-46

type de produit: Single IGBTs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IKQ75N120CH3XKSA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IKQ75N120CH3XKSA1 Description générale

In conclusion, the IKQ75N120CH3XKSA1 sets a new standard for IGBT modules with its impressive power handling capabilities, advanced technologies, and reliable performance in demanding industrial applications. Infineon Technologies has once again demonstrated its expertise in semiconductor manufacturing, delivering a product that excels in both efficiency and durability. Whether in industrial motor drives, renewable energy systems, or electric vehicles, the IKQ75N120CH3XKSA1 proves to be a top choice for high-power applications

Caractéristiques

  • High reliability guaranteed
  • Rapid thermal response
  • Silicon carbide substrate

Application

  • Renewable power systems
  • Cutting-edge EV technology
  • Industrial motor efficiency

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Infineon Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details Technology: Si
Package / Case: TO247-3-46 Mounting Style: Through Hole
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A Pd - Power Dissipation: 938 W
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Series: IGBT HighSpeed 3 Packaging: Tube
Brand: Infineon Technologies Continuous Collector Current Ic Max: 150 A
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA Product Type: IGBT Transistors
Factory Pack Quantity: 240 Subcategory: IGBTs
Tradename: TRENCHSTOP Part # Aliases: IKQ75N120CH3 SP001220142
Unit Weight: 0.211644 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IKQ75N120CH3XKSA1 is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for use in high voltage and high current applications. It features a large current carrying capacity and low on-state voltage drop, making it ideal for power electronics applications such as motor drives and power supplies.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IKQ75N120CH3XKSA1 chip are the Infineon IKQ75N120CH3, Infineon FF75R12KT4, and Infineon IKQ75N180CH3.
  • Features

    - Part number: IKQ75N120CH3XKSA1 - Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) - Voltage rating: 1200V - Current rating: 75A - High power density module design - Low conduction and switching losses - RoHS compliant - Suitable for various industrial applications
  • Pinout

    IKQ75N120CH3XKSA1 is a 1200V IGBT Module with 75A current rating. It has 8 pins: Emitter, Collector, Gate, and three phases: U, V, W. The module is used in motor drives, inverters, and converters for high power applications.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of IKQ75N120CH3XKSA1. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics. Infineon is one of the top semiconductor manufacturers in the world and is known for its high-quality and innovative products.
  • Application Field

    IKQ75N120CH3XKSA1 can be used in various application areas such as industrial drives, switched-mode power supplies, renewable energy systems, welding equipment, and UPS systems. It is designed for high power applications that require efficient and reliable performance in harsh environments.
  • Package

    The IKQ75N120CH3XKSA1 chip is a module package with a size of 102mm x 95mm x 21mm. The form factor is rectangular, and it comes in a discrete package.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • IRF4905PBF

    IRF4905PBF

    Infineon Technologies

    The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...

  • IRF3710

    IRF3710

    Infineon

    Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)

  • IRF6619

    IRF6619

    Infineon

    20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer