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$5000Infineon IKW75N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N-Channel 600V 80A 428W 3-Pin TO-247 Tube
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IKW75N60TFKSA1
Fiche de données: IKW75N60TFKSA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IKW75N60TFKSA1 Description générale
The TO-247 package type of the IKW75N60TFKSA1 transistor ensures easy through-hole mounting for secure and reliable connections. With a gate-emitter voltage (Vge) rating of 20V, this transistor can be easily controlled with standard drive circuits. The operating temperature range of -40°C to 175°C allows for operation in a wide range of environments, making it suitable for industrial and automotive applications
Caractéristiques
- Premium materials for extended lifespan
- Robust construction for harsh environments
- Flexible design for various applications
- Real-time monitoring and control possible
- Easy integration with existing systems
- State-of-the-art manufacturing process used
Application
- Green technology
- Electric cars
- Smart grids
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 428 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | Trenchstop IGBT3 | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 240 |
| Subcategory: | IGBTs | Tradename: | TRENCHSTOP |
| Part # Aliases: | IKW75N60T SP000054889 | Unit Weight: | 0.448015 oz |
| Series | TrenchStop® | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 428 W | Switching Energy | 4.5mJ |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 470 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/330ns | Test Condition | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 121 ns | Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IKW75N60TFKSA1 is a silicon carbide MOSFET transistor chip designed for high power applications. It offers low on-state resistance, high switching speeds, and high temperature capability. This chip is ideal for use in power converters, motor drives, and other high power electronic systems requiring efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of IKW75N60TFKSA1 chip are IRG4PH40KD, FCP406N60, IRGS4B60KD, IRG4BC20KD, MaxGW35G, and REFR6060N. These products have similar specifications and can be used as replacements for IKW75N60TFKSA1 in various applications. -
Features
1. N-channel IGBT with fast switching speeds 2. 75A continuous collector current and 600V collector-emitter voltage 3. Low VCE(sat) for efficient power conversion 4. High ruggedness and reliability 5. Suitable for use in high power applications such as motor drives and inverters. -
Pinout
IKW75N60TFKSA1 is a TO-247 package power MOSFET with a pin count of 3 (gate, drain, source). It is designed for high power applications, with a voltage rating of 600V and a current rating of 75A. The device is commonly used in power supplies, motor control, and inverters. -
Manufacturer
IKW75N60TFKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. They are a global leader in the production of power semiconductors, sensors, and microcontrollers for a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IKW75N60TFKSA1 is a power semiconductor device commonly used in various applications such as motor control, power supplies, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for high power switching applications and can handle high voltage and current levels efficiently. -
Package
The IKW75N60TFKSA1 chip is in a TO-247 package type, It is in a module form, and its size is approximately 20.5mm x 40mm x 6mm.
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