Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Infineon IPD050N10N5
TO-252-3 MOSFETs ROHS
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IPD050N10N5
Fiche de données: IPD050N10N5 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DPAK (TO-252)
Statut RoHS:
État des stocks: 2660 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $4,691 | $4,691 |
| 10 | $4,093 | $40,930 |
| 30 | $3,729 | $111,870 |
| 100 | $3,422 | $342,200 |
In Stock:2660 PCS
IPD050N10N5 Description générale
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPD050N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices, one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Caractéristiques
- It has a drain-source voltage (VDS) rating of 100V.
- It can handle a continuous drain current (ID) of 50A.
- It has a low on-resistance (RDS(on)) of 5 mOhm, which means it can conduct current with low power loss.
- It is designed to operate at high switching frequencies, which makes it suitable for various power electronics applications.
Application
- DC-DC converters and switching regulators
- Motor control
- Solar power inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Battery management systems
- Electric vehicle (EV) charging stations
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 320.0 A | Mounting | SMD |
| Ptot max | 150.0 W | Package | DPAK (TO-252) |
| Polarity | N | RthJA max | 75.0 K/W |
| RthJC max | 1.0 K/W | VDS max | 100.0 V |
| RDS (on) max | 5.0 mΩ | ID max | 80.0 A |
| VGS(th) max | 3.8 V | VGS(th) min | 2.2 V |
| Operating Temperature max | 175.0 °C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le IPD050N10N5 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : IRF3710ZPBF
Marques :
Emballer : TO-220AB
Description : N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V
Numéro d'article : IRFP260NPBF
Marques :
Emballer : TO-247AC
Description : MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Numéro d'article : FDPF50N06
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : RFP50N06
Marques :
Emballer : TO-220AB
Description : N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:50A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):22mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:-
Numéro d'article : STW50NM50N
Marques :
Emballer :
Description :
Points de pièce
-
The IPD050N10N5 is a power MOSFET chip developed by Infineon Technologies. It is designed for use in various power conversion applications, offering low on-resistance, high efficiency, and high reliability. Its compact size and high performance make it suitable for use in a wide range of electronic devices and systems.
-
Equivalent
The equivalent products of IPD050N10N5 chip are Infineon BSC050N10NS5 and STMicroelectronics STL007PN10N5. They are both N-channel enhancement mode power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. N-channel MOSFET transistor 2. Low on-resistance: 50 mΩ 3. 100V drain-source voltage rating 4. 5A continuous drain current 5. Suitable for high power applications such as motor control and power supplies. -
Pinout
The IPD050N10N5 has a pin count of 3 and functions as a N-channel power MOSFET transistor. It is designed for high-speed switching applications and offers a low ON resistance for efficient power management. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD050N10N5 is Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon Technologies AG specializes in the development and production of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is known for its high-quality, innovative products that help drive technological advancements in the market. -
Application Field
The IPD050N10N5 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and battery management systems. It is suitable for applications requiring high efficiency, low power dissipation, and high current handling capabilities. -
Package
The IPD050N10N5 chip is a MOSFET transistor packaged in a TO-252 form with a standard 3-pin configuration. It has a size of 6.7mm x 6.7mm and a thickness of 3mm.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
Recommander
-
![BSZ146N10LS5ATMA1]()
-
![BSZ096N10LS5ATMA1]()
-
![IRFB4410ZPBF]()
-
![BSC070N10NS5ATMA1]()
-
![ISC060N10NM6ATMA1]()
-
![IRFH5010TRPBF]()
Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
Smooth ordering process, but shipping took a while