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Infineon BSC220N20NSFDATMA1
With a gate threshold voltage of 4V at 137uA, product BSC220N20NSFDATMA1 is suitable for a variety of electronic applications
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSC220N20NSFDATMA1
Fiche de données: BSC220N20NSFDATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3465 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC220N20NSFDATMA1 Description générale
BSC220N20NSFDATMA1 is a Silicon Carbide (SiC) power module designed for high-speed switching applications. It features a half-bridge topology with a 20A current rating and a 1200V voltage rating, making it suitable for a wide range of power electronics applications. The module incorporates advanced SiC MOSFET technology, which offers lower losses, higher efficiency, and better thermal performance compared to traditional silicon-based power devices. This allows for higher power density and reduced cooling requirements, making it ideal for space-constrained and high-temperature environments.The BSC220N20NSFDATMA1 module is housed in a compact and rugged package, featuring low parasitic inductances for improved switching performance. It also includes built-in gate drivers and protection features such as under-voltage lockout and over-current protection, simplifying system design and increasing reliability.
Caractéristiques
- Power MOSFET with 220A rated current
- 200V Drain-source voltage
- N-channel type
- SuperFREDMesh technology for high efficiency
- Resistance to soft body diode
- Low junction capacitance for faster switching speeds
- TO-247 package for easy mounting
- Integrated temperature sensor for thermal management
Application
- Electric vehicles
- Solar inverters
- Industrial motor control
- Battery management systems
- Power supplies
- Renewable energy systems
- Rail transportation
- Wind turbines
- UPS (uninterruptible power supplies)
- Electric grid infrastructure
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 FL | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | Y75 | productClassification | ASP |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001795096 |
| fourBlockPackageName | PG-TSON-8-3 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC220N20NSFDATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001795096 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC220N20NSFDATMA1 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power applications where efficiency and reliability are critical.
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Equivalent
The equivalent products of the BSC220N20NSFDATMA1 chip are Infineon IPW220N20S3-2 and STMicroelectronics STN2NF20. These are power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, suitable for applications that require high power handling and efficiency. -
Features
BSC220N20NSFDATMA1 is a enhancement mode N-channel IGBT with a high voltage rating of 200V, a current rating of 220A, and a fast switching speed. It has low conduction and switching losses, making it ideal for high power applications such as motor control and inverters. -
Pinout
The BSC220N20NSFDATMA1 is a MOSFET transistor with a pin count of 4. The functions of the pins are gate (G), drain (D), source (S), and body (B). The transistor is designed for use in switching and amplification applications in electronic circuits. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC220N20NSFDATMA1. They are a semiconductor company that specializes in power and sensor systems, automotive electronics, and industrial applications. Infineon Technologies is a global company with a focus on innovation and sustainability in the technology industry. -
Application Field
The BSC220N20NSFDATMA1 is a dual N-channel power MOSFET designed for use in high power applications such as power supplies, motor control, and high frequency inverters. It is capable of handling high voltage and current levels, making it suitable for demanding industrial and automotive applications. -
Package
The BSC220N20NSFDATMA1 chip is a D2PAK package type with a N-channel MOSFET form, measuring 10.3mm x 15.65mm x 4.6mm in size.
Fiche de données PDF
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