Infineon BSC070N10NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC070N10NS5ATMA1
Fiche de données: BSC070N10NS5ATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3734 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC070N10NS5ATMA1 Description générale
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 83W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Caractéristiques
- Optimized for synchronous rectification
- Ideal for high switching frequency
- Output capacitance reduction of up to 44%
- R DS(on) reduction of up to 43% from previous generation
- Highest system efficiency
- Reduced switching and conduction losses
- Less paralleling required
- Increased power density
- Low voltage overshoot
Application
- Telecom
- Server
- Solar
- Low voltage drives
- Light electric vehicles
- Adapter
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TDSON-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 83 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
Packaging: | Reel | Height: | 1.27 mm |
Length: | 5.9 mm | Series: | OptiMOS 5 |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Width: | 5.15 mm |
Brand: | Infineon Technologies | Forward Transconductance - Min: | 38 S |
Fall Time: | 6 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 5000 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | Part # Aliases: | BSC070N10NS5 SP001241596 |
Unit Weight: | 0.017870 oz | Tags | BSC070N10NS5, BSC070N10N, BSC070N, BSC070, BSC07, BSC0, BSC |
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 55 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 14 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.007 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320 A |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC070N10NS5ATMA1 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed to handle high levels of currents and voltages efficiently. It features low on-resistance, meaning it minimizes power losses and provides higher power density. The chip is commonly used in a variety of applications such as power supplies, electric vehicles, industrial systems, and more.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSC070N10NS5ATMA1 chip include BSC070N10NS5S, BSC070N10NS5G, BSC070N10NS5, BSC070N10NS5 AEC-Q101, BSC070N10NS5 E6327, and BSC070N10NS5ATMA1-ND. -
Features
The BSC070N10NS5ATMA1 is a power MOSFET transistor with a drain source voltage rating of 100V, a continuous drain current of 78A, and a low on-resistance of 7mΩ. It is designed for use in various high power applications, such as motor control, power supplies, and inverter designs. -
Pinout
The BSC070N10NS5ATMA1 is a single N-channel MOSFET transistor. It has 8 pins in total, including the gate (G), drain (D), source (S), and substrate (B) pins. The pin count and functions are as follows: 1. Pin 1: Gate (G) 2. Pin 2: Gate (G) 3. Pin 3: Drain (D) 4. Pin 4: Source (S) 5. Pin 5: Source (S) 6. Pin 6: Substrate (B) 7. Pin 7: Substrate (B) 8. Pin 8: Drain (D) -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC070N10NS5ATMA1 is Infineon Technologies. Infineon is a German semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC070N10NS5ATMA1 is a power MOSFET transistor. It can be used in various applications such as motor control, power supplies, and high-frequency switching circuits. -
Package
The BSC070N10NS5ATMA1 chip has a PowerPAK 1212-8 package type, is an N-channel MOSFET form, and has a size of 3.3mm x 3.3mm.
Fiche de données PDF
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