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Infineon IPD110N12N3GATMA1
Power Field-Effect Transistor
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IPD110N12N3GATMA1
Fiche de données: IPD110N12N3GATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TO252-3
Statut RoHS:
État des stocks: 3933 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,901 | $1,901 |
| 10 | $1,674 | $16,740 |
| 30 | $1,532 | $45,960 |
| 100 | $1,195 | $119,500 |
| 500 | $1,130 | $565,000 |
| 1000 | $1,102 | $1102,000 |
In Stock:3933 PCS
IPD110N12N3GATMA1 Description générale
The IPD110N12N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It belongs to the OptiMOS 5 family of power MOSFETs, which are designed to provide low on-state resistance and high system efficiency in a wide range of applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.The IPD110N12N3GATMA1 features a drain-source voltage of 120V, a continuous drain current of 110A, and a low on-resistance of 3mΩ. This MOSFET is housed in a TO-252 package, which is a small surface-mount package that allows for easy integration into PCB designs.One of the key features of the IPD110N12N3GATMA1 is its low gate charge, which enables fast switching speeds and efficient operation. This, combined with its low on-resistance, helps to minimize power losses and improve overall system performance.Additionally, this MOSFET is RoHS compliant, making it environmentally friendly and suitable for use in applications that require compliance with environmental regulations.
Caractéristiques
- 100V, 110A N-channel power MOSFET
- Low on-resistance RDS(on) of 6.5 mΩ
- Enhanced switching performance
- Optimized for high-current applications
- Advanced Trench Technology
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
- Qualified according to AEC Q101
- RoHS compliant
Application
- Automotive industry - used in electric vehicle powertrains, battery management systems, and charging stations
- Industrial automation - for motor control, power supplies, and robotics
- Solar energy - in inverters and power optimizers
- Telecommunications - for power amplifiers and base station power supplies
- Military and aerospace - in radar systems and electronic warfare applications
- Consumer electronics - for portable devices and home appliances
- Medical devices - in imaging systems and surgical equipment
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | N59 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TO252-3 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001127808 |
| fourBlockPackageName | PG-TO252-3-313 | rohsCompliant | yes |
| opn | IPD110N12N3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001127808 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPD110N12N3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for use in automotive applications. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 110A. This chip offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for use in electric vehicles and other power electronics systems.
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Equivalent
An equivalent product of the IPD110N12N3GATMA1 chip is the FDP110N12N3GATM. -
Features
The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET transistor that is low on-resistance, suitable for high-current applications. It features a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, making it appropriate for various power conversion and control applications. -
Pinout
The IPD110N12N3GATMA1 has a pin count of 8. It is a power MOSFET that has a drain, source, and gate terminal. It is designed for applications requiring high power and efficiency in a compact package. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD110N12N3GATMA1 is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company specializing in design, production, and marketing of various semiconductor solutions. Infineon Technologies primarily operates in the fields of automotive, industrial, power, and security applications, providing innovative products and technologies to customers worldwide. -
Application Field
The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for various applications where high power and low on-resistance are required. It can be used in areas such as power supplies, motor control systems, DC-DC converters, and other high-power switching applications. -
Package
The IPD110N12N3GATMA1 chip comes in a TO-252-3 package type, also known as DPAK (Plastic-Encapsulated Transistor). The form is a surface mount. Its size is compact, measuring approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.5mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
Limited amounts of stock available.