Infineon IPD180N10N3G
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: IPD180N10N3G
Fiche de données: IPD180N10N3G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-252
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2086 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureIPD180N10N3G Description générale
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Caractéristiques
- Drain-source voltage (Vdss): 100V
- Continuous drain current (Id): 180A
- Maximum on-state resistance (Rds(on)): 3.3mΩ
- Gate charge (Qg): 270nC
- Fast switching and low switching losses
- High current handling capability
- RoHS compliant
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
IDpuls max | 172.0 A | Ptot max | 71.0 W |
VDS max | 100.0 V | Package | DPAK (TO-252) |
Polarity | N | RDS (on) max | 18.0 mΩ |
ID max | 43.0 A | VGS(th) max | 3.5 V |
VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPD180N10N3G is a power MOSFET chip designed for applications in power management and motor control systems. It features a low on-resistance and a high current capacity, making it suitable for high-performance devices. The chip incorporates advanced technology to enhance efficiency and reduce power losses, making it an ideal choice for various industrial applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IPD180N10N3G chip are IPD180N10N3GXTSA1 and IPD180N10N3GXTMA1. -
Features
The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 100 volts and a current rating of 180 amperes. It is designed for high efficiency and reliability in a wide range of applications. -
Pinout
The IPD180N10N3G is a MOSFET power transistor. It has a pin count of 3 and the pins are used for the following functions: 1. Gate pin (G): Controls the flow of current through the transistor. 2. Drain pin (D): Connects to the positive voltage supply. 3. Source pin (S): Connects to the ground or negative voltage supply. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD180N10N3G is Infineon Technologies. It is a German semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor devices, including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, such as motor control, switch mode power supplies, and high-frequency DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The package type of the IPD180N10N3G chip is Power-Flat 8x8. The form of the chip is surface mount, and it has dimensions of 5.28mm x 5.28mm x 0.95mm.
Fiche de données PDF
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