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Infineon IPD180N10N3G

N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: IPD180N10N3G

Fiche de données: IPD180N10N3G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-252

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2086 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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IPD180N10N3G Description générale

N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ipd180n10n3g

Caractéristiques

  • Drain-source voltage (Vdss): 100V
  • Continuous drain current (Id): 180A
  • Maximum on-state resistance (Rds(on)): 3.3mΩ
  • Gate charge (Qg): 270nC
  • Fast switching and low switching losses
  • High current handling capability
  • RoHS compliant

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
IDpuls max 172.0 A Ptot max 71.0 W
VDS max 100.0 V Package DPAK (TO-252)
Polarity N RDS (on) max 18.0 mΩ
ID max 43.0 A VGS(th) max 3.5 V
VGS(th) min 2.0 V Operating Temperature max 175.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IPD180N10N3G is a power MOSFET chip designed for applications in power management and motor control systems. It features a low on-resistance and a high current capacity, making it suitable for high-performance devices. The chip incorporates advanced technology to enhance efficiency and reduce power losses, making it an ideal choice for various industrial applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IPD180N10N3G chip are IPD180N10N3GXTSA1 and IPD180N10N3GXTMA1.
  • Features

    The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 100 volts and a current rating of 180 amperes. It is designed for high efficiency and reliability in a wide range of applications.
  • Pinout

    The IPD180N10N3G is a MOSFET power transistor. It has a pin count of 3 and the pins are used for the following functions: 1. Gate pin (G): Controls the flow of current through the transistor. 2. Drain pin (D): Connects to the positive voltage supply. 3. Source pin (S): Connects to the ground or negative voltage supply.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPD180N10N3G is Infineon Technologies. It is a German semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor devices, including power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, such as motor control, switch mode power supplies, and high-frequency DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Package

    The package type of the IPD180N10N3G chip is Power-Flat 8x8. The form of the chip is surface mount, and it has dimensions of 5.28mm x 5.28mm x 0.95mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire IPD180N10N3G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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