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Infineon BSM75GD120DN2

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: BSM75GD120DN2

Fiche de données: BSM75GD120DN2 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: EconoPACK 3A

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 2827 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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BSM75GD120DN2 Description générale

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

bsm75gd120dn2

Caractéristiques

  • IXYS IXGH75N120B3H1
  • Fuji 2MBI75N-120
  • Semikron SKM75GB120DN
  • Toshiba MG75Q2YS40
bsm75gd120dn2
bsm75gd120dn2

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 103 A Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Pd - Power Dissipation 520 W Package / Case EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 122 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 62 mm
Part # Aliases SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

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2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BSM75GD120DN2 is a high power N-channel IGBT designed for use in high voltage applications. It features a blocking voltage of 1200V, a continuous collector current of 75A, and a low on-state voltage drop. This chip is commonly used in industrial motor drives, renewable energy systems, and power supplies.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSM75GD120DN2 chip include the SKM75GB128DM, FF75R12RT4, and GT75QR21. These chips are all high-power IGBT modules designed for use in various power electronic applications, such as energy conversion, motor drives, and industrial automation.
  • Features

    Some features of the BSM75GD120DN2 include a high current rating of 75A, a voltage rating of 1200V, high switching frequency capability, low on-state voltage drop, and a compact and efficient design suitable for various industrial applications.
  • Pinout

    The BSM75GD120DN2 is a dual, 75A, 1200V IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are: Pin 1: Collector 1 Pin 2: Emitter 1 Pin 3: Gate 1 Pin 4: Gate 2 Pin 5: Emitter 2 Pin 6: Collector 2 Pin 7: Baseplate
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM75GD120DN2. They are a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon serves industries such as automotive, industrial, and consumer electronics with innovative and reliable semiconductor solutions.
  • Application Field

    The BSM75GD120DN2 is commonly used in industrial applications such as power converters, motor drives, and renewable energy systems. Its high power density and efficiency make it suitable for high-performance and demanding environments where reliability and robustness are essential.
  • Package

    The BSM75GD120DN2 chip is in a module package type with a form of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module and a size of 75A and 1200V.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BSM75GD120DN2 PDF Télécharger

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  • quantity

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  • shipping

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  • garantie

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