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Infineon BSM150GB120DN2
Trans IGBT Module N-CH 1200V 210A 1250W 7-Pin 62MM-1
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSM150GB120DN2
Fiche de données: BSM150GB120DN2 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: Half Bridge2
Statut RoHS:
État des stocks: 2336 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $415,405 | $415,405 |
| 200 | $160,757 | $32151,400 |
| 500 | $155,107 | $77553,500 |
| 1000 | $152,315 | $152315,000 |
In Stock:2336 PCS
BSM150GB120DN2 Description générale
IGBT Module Half Bridge 1200 V 210 A 1250 W Chassis Mount Module
Caractéristiques
- It is a 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with a maximum current rating of 150A.
- It has a low on-state voltage drop, which helps to reduce power losses.
- The module has a built-in temperature monitoring system that protects against overheating.
- It is designed to be rugged and reliable, with a high level of resistance to thermal and electrical stress.
- The module is equipped with fast-switching IGBTs, which makes it suitable for high-frequency applications.
Application
- Industrial motor drives
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Welding equipment
- Switched-mode power supplies (SMPS)
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
| Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Half Bridge |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 210 A | Gate-Emitter Leakage Current | 320 nA |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 kW | Package / Case | Half Bridge2 |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | Infineon Technologies | Height | 30 mm |
| Length | 106.4 mm | Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Product Type | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si | Width | 61.4 mm |
| Part # Aliases | SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Pièces équivalentes
Pour le BSM150GB120DN2 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : IXYS
Marques :
Emballer :
Description : MCC312-16IO1
Numéro d'article : Fuji
Marques :
Emballer :
Description : Electric 6MBI150UB-120
Numéro d'article : Powerex
Marques :
Emballer :
Description : CM150DY-12H
Points de pièce
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The BSM150GB120DN2 is a high power IGBT module designed for use in industrial applications such as motor drives and renewable energy systems. It features a current rating of 150A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for high-power applications. The module is highly reliable and efficient, making it a popular choice for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSM150GB120DN2 chip are Infineon IGBT module FF150R12KE3, Eupec IGBT module FP15R12W3T4, and IXYS IGBT module F10C20C. These products are similar in specifications and can be used interchangeably with the BSM150GB120DN2 chip. -
Features
BSM150GB120DN2 is an IGBT module with a rated current of 150 A and a maximum voltage of 1200 V. It features low power loss and low operational temperature rise. It has an integrated gate resistor for easier drive circuit design and improved system reliability. -
Pinout
The BSM150GB120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is Gate 1, Pin 2 is Emitter 1, Pin 3 is Collector 1, Pin 4 is Common emitter, Pins 5 and 6 are Collector 2 and Emitter 2 respectively, and Pin 7 is Gate 2. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSM150GB120DN2. It is a German multinational corporation that specializes in semiconductor solutions for automotive, industrial, and digital security applications. Infineon Technologies is a leading provider of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a variety of industries worldwide. -
Application Field
The BSM150GB120DN2 is typically used in high power inverter applications, such as industrial drives, wind turbines, and solar inverters. It is designed for high switching frequencies and has low power loss characteristics, making it ideal for demanding applications that require high efficiency and reliability. -
Package
The BSM150GB120DN2 chip is a module with a Half-bridge IGBT All-Si Module type package. It is in a Single Phase form and has a size of 150mm x 62mm x 30mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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