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Infineon IPD200N15N3GATMA1
Compared to the PG-TO252-3, RoHS model, the IPD200N15N3GATMA1 showcases a 40% reduction in R DS(on) and a 45% increase in figure of merit (FOM)
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IPD200N15N3GATMA1
Fiche de données: IPD200N15N3GATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TO252-3
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3229 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureIPD200N15N3GATMA1 Description générale
The IPD200N15N3GATMA1 is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It is part of the OptiMOS 3 family and features a P-channel enhancement mode MOSFET with a voltage rating of 150V and a continuous drain current of 200A. The transistor is housed in a TO-252-3 package with a space-saving D2PAK outline.The IPD200N15N3GATMA1 is designed for use in high-current applications where efficiency and power density are critical, such as in motor control, power supplies, and server applications. With a low on-resistance of 2.2 mΩ and a low gate charge of 49 nC, this MOSFET offers high efficiency and switching performance, making it ideal for high-power applications.Infineon Technologies uses their advanced OptiMOS technology to optimize the trade-off between on-state resistance and switching performance, achieving a high level of efficiency and power density while minimizing losses. The IPD200N15N3GATMA1 also features excellent thermal performance, with a low thermal resistance to ensure reliable operation under high power loads.
Caractéristiques
- Fast switching in TrenchMOS technology
- Low capacitance
- Low electromagnetic interference
- Enhanced gate oxide integrity
- Temperature-compensated, positive temperature coefficient VGS
- High reliability, transient safe operating area
- Low on-resistance
- Low gate charge
- RoHS compliant
- Halogen-free
Application
- Power supply
- Motor control
- Industrial applications
- Automotive electronics
- Renewable energy systems
- Audio amplifiers
- LED lighting
- Switching applications
- Battery management systems
- UPS systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | I62 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TO252-3 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001127820 |
| fourBlockPackageName | PG-TO252-3-313 | rohsCompliant | yes |
| opn | IPD200N15N3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001127820 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPD200N15N3GATMA1 is a chip that belongs to the power MOSFET family. It is designed to handle high power applications efficiently. With a voltage rating of 150 V and a maximum current rating of 200 A, it is suitable for various power switching applications. The chip offers low on-resistance and excellent thermal resistance, making it reliable and ideal for power control in industrial and automotive systems.
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Equivalent
The equivalent products of the IPD200N15N3GATMA1 chip are IPD60R280P7S and IPD062N08N3G. -
Features
The IPD200N15N3GATMA1 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 150V and a current rating of 200A. It offers low on-resistance, resulting in efficient power handling. The device also has a compact size and is designed for a variety of applications in power supplies, motor control, and inverters. -
Pinout
The IPD200N15N3GATMA1 is a power MOSFET. It has a pin count of 3 and is often utilized in applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IPD200N15N3GATMA1. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the development of various electronic components and systems. -
Application Field
The IPD200N15N3GATMA1 is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It can be used in various areas such as power supplies, motor control, lighting, and industrial automation. -
Package
The IPD200N15N3GATMA1 chip has a TO-252 package type. It is in a form of a single transistor and has a size of 6.5mm x 6.1mm.
Fiche de données PDF
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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