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IPD60R180P7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: IPD60R180P7SAUMA1

Fiche de données: IPD60R180P7SAUMA1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63

Statut RoHS:

État des stocks: 8 675 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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IPD60R180P7SAUMA1 Description générale

N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Series CoolMOS™ P7 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1081 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 72W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IPD60R180P7SAUMA1 is a high-voltage power MOSFET chip designed for automotive applications. It features a low on-state resistance and high efficiency, making it suitable for use in electric vehicle power systems, battery management systems, and other automotive electronics.
  • Equivalent

    The equivalent products of IPD60R180P7SAUMA1 chip are IPD60R180CP7 and IPD60R180P7. These chips are also power MOSFETs with similar specifications and characteristics that can be used as substitutes for the original chip in various applications.
  • Features

    IPD60R180P7SAUMA1 is a 600V CoolMOS P7 power transistor with a low RDS(on) of 0.18 ohms, suitable for high-efficiency power supplies. It features an ultra-fast body diode, high switching frequency capabilities, improved efficiency, reduced energy consumption, and enhanced thermal performance with an integrated Zener diode for ESD protection.
  • Pinout

    The IPD60R180P7SAUMA1 is a Power MOSFET with a pin count of 7. It is designed for high power applications and features a drain current of 60A, a voltage rating of 180V, and a low Rds(on) resistance. It is commonly used in power management and switching circuits.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of IPD60R180P7SAUMA1. It is a German semiconductor manufacturing company specializing in power semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and electronics applications. Infineon is a global leader in the semiconductor industry with a focus on power efficiency, innovation, and sustainability.
  • Application Field

    The IPD60R180P7SAUMA1 power MOSFET is commonly used in automotive applications such as ignition systems, DC-DC converters, and motor control. It is also suitable for industrial applications like power supplies, inverters, and battery management systems, due to its high efficiency and fast switching speed.
  • Package

    The IPD60R180P7SAUMA1 chip is a power MOSFET semiconductor device in a TO252-3 package, with a form of a surface-mount transistor. It has a size of 6.7mm x 6.7mm x 1.7mm, making it suitable for use in compact electronic devices requiring high power efficiency.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

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