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IPD30N06S2L-23
Incorporating the IPD30N06S2L-23 into your projects
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IPD30N06S2L-23
Fiche de données: IPD30N06S2L-23 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-252-3,DPak(2Leads+Tab),SC-63
Statut RoHS:
État des stocks: 7 745 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,032 | $1,032 |
| 10 | $0,875 | $8,750 |
| 30 | $0,789 | $23,670 |
| 100 | $0,692 | $69,200 |
| 500 | $0,648 | $324,000 |
| 1000 | $0,630 | $630,000 |
En stock: 7 745 PC
IPD30N06S2L-23 Description générale
N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1091 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPD30N06S2L-23 is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and low power dissipation in various electronic applications. This chip features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management and switching applications in devices such as laptops, LED lighting, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of IPD30N06S2L-23 chip are IXFH30N60Q2, IRGS30B60KD, and STP30N06L. These are all power MOSFETs with similar characteristics and specifications that can be used as substitutes for the IPD30N06S2L-23 chip in various applications. -
Features
The IPD30N06S2L-23 is a Power MOSFET with a drain current of 74A, a drain source voltage of 60V, and a low RDS(on) of 10mΩ. It is suitable for high power applications due to its high current handling capacity and low on-resistance. -
Pinout
The IPD30N06S2L-23 is a 30V, N-channel power MOSFET with a TO-252 package. It has a pin count of 3 (gate, drain, source) and is typically used for switching applications due to its low on-state resistance and high current capability. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD30N06S2L-23 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company known for producing a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers. They focus on providing innovative solutions for a variety of industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPD30N06S2L-23 is typically used in applications requiring high efficiency and compactness, such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its features make it suitable for a wide range of industrial and consumer electronics applications where power management and energy efficiency are critical. -
Package
The IPD30N06S2L-23 chip comes in a TO-252 (DPAK) package type, with a surface mount form, and a size of 6.7mm x 6.37mm x 1.4mm.
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