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IPB019N08N3G

High-power switching device for demanding applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: IPB019N08N3G

Fiche de données: IPB019N08N3G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-263-7,D²Pak(6Leads+Tab)

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 8 897 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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IPB019N08N3G Description générale

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

IPB019N08N3G

Caractéristiques

  • Ideal for high frequency switching and sync. rec.
  • Optimized technology for motor drive applications.
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • Very low on-resistance RDS(on)
  • Superior thermal resistance
  • N-channel - Logic level
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free plating; RoHS compliant
  • Qualified according to JEDEC1) for target application
  • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Series OptiMOS™ Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO263-7
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IPB019N08N3G chip is a power MOSFET transistor designed specifically for automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power management functions, such as switch-mode power supplies and motor control. The chip's advanced technology enables efficient power handling and thermal performance, meeting the requirements of automotive systems.
  • Features

    The IPB019N08N3G is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power switch designed for automotive applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It also has a low gate charge and is capable of handling high-temperature environments, making it suitable for use in automotive powertrain, body, and safety systems.
  • Pinout

    The IPB019N08N3G is a power MOSFET transistor with a TO-263 (D2PAK) package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPB019N08N3G is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that specializes in providing solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and power management.
  • Application Field

    The IPB019N08N3G is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and general-purpose switching. It is a low-voltage, N-channel power MOSFET with a high current handling capability, making it suitable for various electronic devices and equipment that require efficient power management and control.
  • Package

    The IPB019N08N3G chip is packaged in a power-FLAT5x6 package form. It has a size less than 6 mm x 5.5 mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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