Commandes de plus de
$5000IPB019N08N3G
High-power switching device for demanding applications
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IPB019N08N3G
Fiche de données: IPB019N08N3G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-263-7,D²Pak(6Leads+Tab)
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 897 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPB019N08N3G Description générale
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
![IPB019N08N3G IPB019N08N3G](/files/uploads/product/b/c2175815e58e49d78b2b33dddbdbb6ff.webp)
Caractéristiques
- Ideal for high frequency switching and sync. rec.
- Optimized technology for motor drive applications.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
- N-channel - Logic level
- 100% avalanche tested
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPB019N08N3G chip is a power MOSFET transistor designed specifically for automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power management functions, such as switch-mode power supplies and motor control. The chip's advanced technology enables efficient power handling and thermal performance, meeting the requirements of automotive systems.
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Features
The IPB019N08N3G is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power switch designed for automotive applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It also has a low gate charge and is capable of handling high-temperature environments, making it suitable for use in automotive powertrain, body, and safety systems. -
Pinout
The IPB019N08N3G is a power MOSFET transistor with a TO-263 (D2PAK) package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB019N08N3G is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that specializes in providing solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and power management. -
Application Field
The IPB019N08N3G is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and general-purpose switching. It is a low-voltage, N-channel power MOSFET with a high current handling capability, making it suitable for various electronic devices and equipment that require efficient power management and control. -
Package
The IPB019N08N3G chip is packaged in a power-FLAT5x6 package form. It has a size less than 6 mm x 5.5 mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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