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Infineon IRF640NSPBF
This product, IRF640NSPBF, is an N-channel D2PAK MOSFET rated for 200 volts and 18 amps, with a power rating of 150 watts
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRF640NSPBF
Fiche de données: IRF640NSPBF Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-252-3
Statut RoHS:
État des stocks: 2467 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,409 | $0,409 |
| 200 | $0,158 | $31,600 |
| 500 | $0,152 | $76,000 |
| 1000 | $0,151 | $151,000 |
In Stock:2467 PCS
IRF640NSPBF Description générale
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Caractéristiques
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- High current capability
- Enhanced avalanche energy capability
- Low input and output capacitance to reduce switching losses
- Logic-level gate drive compatibility for easy interfacing
- Halogen-free and RoHS compliant
- TO-262 package for easy mounting
Application
- Switching applications in power supplies
- DC-DC converters
- Motor control
- Automotive systems
- Industrial automation
- LED lighting
- Solar inverters
- Battery management systems
- Voltage regulators
- Electronic ballasts
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current | 18 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 44.7 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 150 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Infineon Technologies | Configuration | Single |
| Fall Time | 5.5 ns | Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 19 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 6.22 mm |
| Part # Aliases | SP001554094 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF640NSPBF chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It has a drain-source voltage rating of 200V and a continuous drain current of 18A. The chip features low on-resistance and is suitable for a wide range of power applications, including switching and amplification in various electronic circuits.
-
Equivalent
Some possible equivalent products for the IRF640NSPBF chip are the IRFP640 and IRF640N. These chips are known for their similar electrical characteristics and compatibility with various applications. -
Features
Some features of the IRF640NSPBF MOSFET include a voltage rating of 200V, a current rating of 18A, and a low on-resistance of 0.18Ω. It also has a fast switching speed, making it suitable for power switching applications. The package type is TO-220. -
Pinout
IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3 and is commonly used in applications such as motor control, high-power audio amplifiers, and switching power supplies. The three pins are Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF640NSPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductor components and modules. -
Application Field
The IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switching power supplies, motor control, and audio amplifiers. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for various industrial and electronic applications where efficient power switching is required. -
Package
The IRF640NSPBF chip is packaged in a TO-263-3 (D2PAK) form with a size of 10.46mm x 9.15mm x 4.57mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
The components I ordered came well-packaged and worked as I expected.