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Infineon IRF7311PBF
Mosfet Array 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Marques: IR
Pièce Fabricant #: IRF7311PBF
Fiche de données: IRF7311PBF Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
Statut RoHS:
État des stocks: 2271 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,322 | $0,322 |
| 200 | $0,125 | $25,000 |
| 500 | $0,120 | $60,000 |
| 1000 | $0,118 | $118,000 |
In Stock:2271 PCS
IRF7311PBF Description générale
Mosfet Array 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Caractéristiques
- RoHS Compliant
- Low RDS(on)
- Dynamic dv/dt Rating
- Fast Switching
- Dual N-Channel MOSFET
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
| Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Dual | Fall Time | 31 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 17 ns | Factory Pack Quantity | 3800 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
| Type | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | SP001572034 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRF7311PBF is a dual N-channel power MOSFETs chip designed for high efficiency, low power applications. It has a low ON resistance and high power density, making it suitable for battery management, DC-DC converters, and motor control. The chip is compact, efficient, and reliable for a variety of electronic projects.
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Features
The IRF7311PBF is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 20V and current rating of 4.6A. It features low on-resistance, fast switching speed, and small package size. It is designed for use in power management applications in portable electronics and battery-powered devices. -
Pinout
The IRF7311PBF is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 is the top N-channel source, pin 2 is the bottom N-channel source, pins 3 and 6 are the top and bottom N-channel gates, and pins 4, 5, 7, and 8 are connected to the bottom N-channel drain. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF7311PBF is International Rectifier, a semiconductor technology company. They specialize in designing, manufacturing, and selling power management and power semiconductor technology. International Rectifier was acquired by Infineon Technologies in 2015, and continues to operate as a subsidiary of the company. -
Application Field
The IRF7311PBF is commonly used in applications such as motor control, power management, and DC-DC converters. It is also used in automotive electronics, industrial automation, and power supplies. This power MOSFET offers high efficiency and high performance in a compact package, making it ideal for a wide range of applications requiring power switching capabilities. -
Package
The IRF7311PBF is a dual N-channel MOSFET chip that comes in a surface mount package with a size of 8-SOIC. It features a form factor of Surface Mount and measures 4.9mm x 3.9mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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