Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Infineon IRF7351TRPBF 48HRS

Meet the IRF7351TRPBF, a high-performance Dual N-Channel 60V MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IRF7351TRPBF

Fiche de données: IRF7351TRPBF Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SO8

Statut RoHS:

État des stocks: 2221 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,923 $0,923
10 $0,771 $7,710
30 $0,695 $20,850
100 $0,619 $61,900
500 $0,478 $239,000
1000 $0,455 $455,000

In Stock:2221 PCS

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRF7351TRPBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRF7351TRPBF Description générale

The IRF7351TRPBF is a dual N-channel, 30V MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) in a PowerPAK SO-8 package. It is designed for use in high-speed switching applications, such as power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters. This MOSFET features a low on-resistance of 14mΩ (milliOhms) at a Vgs (gate-source voltage) of 10V, allowing for efficient power handling and minimal voltage drop across the device. The IRF7351TRPBF also has a high current rating of 4.6A (amp) continuous drain current, making it suitable for high-power applications.The device is rated for a maximum drain-source voltage of 30V, ensuring reliable operation in a wide range of voltage levels. It also has a low gate threshold voltage of 1.3V, allowing for easy and efficient gate control.The PowerPAK SO-8 package is designed for surface-mount applications, providing a compact and efficient solution for space-constrained designs. The device is RoHS compliant, ensuring it meets international standards for environmental safety.

irf7351trpbf

Caractéristiques

  • Low On-Resistance: 2.8 mΩ
  • Fast Switching Speed: 11 ns
  • Low Gate Charge: 8 nC
  • Low Input Capacitance: 2200 pF
  • Operating Voltage: -20V to 100V
  • Continuous Drain Current: 75A

Application

  • Automotive control systems
  • Industrial motor control
  • High efficiency DC-DC converters
  • Switching power supplies
  • Solar inverters
  • Battery management systems
  • Telecommunications equipment
  • LED lighting applications
  • Portable electronics
  • Medical devices

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo Trench Mosfet - SO-8
packageNameMarketing SO-8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr A3G productClassification COM
productStatusInfo active and preferred hfgr A
packageName SO8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001577392
fourBlockPackageName PG-DSO-8-902 rohsCompliant yes
opn IRF7351TRPBF completelyPbFree yes
sapMatnrSali SP001577392

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The IRF7351TRPBF is a power MOSFET transistor with a low on-state resistance and high switching speed. It is designed for use in applications requiring high efficiency and fast switching, such as power supplies and motor control circuits. The chip is compact and easy to use, making it ideal for space-constrained designs.
  • Equivalent

    The equivalent products of IRF7351TRPBF chip are IRF7444PbF, IRF7346PbF, and IRF7530PbF. These are N-channel power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for a range of electronic applications.
  • Features

    IRF7351TRPBF is a MOSFET transistor with a Vds voltage rating of 20V, continuous drain current of 10A, and low Rds(on) of 8.3mΩ. It is suitable for applications requiring high power density and efficiency, such as power management and DC-DC converters.
  • Pinout

    The IRF7351TRPBF is a MOSFET transistor with a DFN1616-6 package. It has a pin count of 6 and functions as a power MOSFET with a drain-source voltage of 20V and a continuous drain current of 3.5A, making it suitable for low voltage applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF7351TRPBF is Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that produces a wide range of products including microcontrollers, power management solutions, and sensors. Infineon Technologies AG is a global leader in the semiconductor industry, focusing on developing innovative technologies for a variety of applications including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IRF7351TRPBF is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and LED lighting. This MOSFET can also be used in various battery-powered devices, telecom equipment, and automotive systems due to its high efficiency and low RDS(on) performance.
  • Package

    The IRF7351TRPBF chip is a surface mount package type with a form factor of SOT-23. It has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire IRF7351TRPBF PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...