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Infineon IRFR5305TRPBF
Tape and Reel Package Transistor for P-Channel Silicon MOSFET with 55V Maximum Voltage and 31A Maximum Current
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: IRFR5305TRPBF
Fiche de données: IRFR5305TRPBF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
type de produit: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,533 | $0,533 |
| 10 | $0,452 | $4,520 |
| 30 | $0,397 | $11,910 |
| 100 | $0,350 | $35,000 |
| 500 | $0,335 | $167,500 |
| 1000 | $0,326 | $326,000 |
In Stock:9458 PCS
IRFR5305TRPBF Description générale
The IRFR5305TRPBF is a power MOSFET transistor designed for use in high-performance applications such as power management, switching, and motor control. It features a drain-source voltage (VDS) of 55 volts, a continuous drain current (ID) of 31 amperes, and a low on-resistance (RDS(on)) of 0.06 ohms.This MOSFET transistor is housed in a TO-252 package, which is a surface-mount device that offers efficient heat dissipation for improved thermal performance. With a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2-4 volts, this transistor can be easily controlled with logic-level signals.The IRFR5305TRPBF is suitable for various applications that require high efficiency and reliability, such as DC-DC converters, motor drivers, and voltage regulation circuits. Its compact size and low on-resistance make it an ideal choice for space-constrained designs where power dissipation is a concern.
Caractéristiques
- 500V drain-source voltage
- 31A continuous drain current
- 10V gate-source voltage
- 270mOhm Rds(on) at Vgs = 10V
- Excellent switching performance
- Low thermal resistance
- RoHS compliant
Application
- Switching applications
- Power management applications
- Voltage regulation circuits
- Motor control circuits
- High power amplifier circuits
- Interface circuits
- LED driver circuits
- DC-DC converter circuits
- Battery charging circuits
- Voltage clamping circuits
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | Planar Mosfet - D-Pak DG |
| packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | FGQ | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | P |
| packageName | DPAK | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001557082 |
| fourBlockPackageName | PG-TO252-3-901 | rohsCompliant | yes |
| opn | IRFR5305TRPBF | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001557082 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IRFR5305TRPBF is an N-channel power MOSFET transistor designed for high current applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power electronics.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRFR5305TRPBF chip are SIHF2N50R-E3, NTD60N02R-1G, and IRFR9310TRPBF. These N-channel power MOSFETs have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the IRFR5305TRPBF in various electronic applications. -
Features
IRFR5305TRPBF is a N-channel Power MOSFET with a high thermal performance design. It has a low drain-to-source on-resistance, high current rating, and a fast switching speed. It is designed for use in high power applications such as DC-DC converters, motor control, and high current switching circuits. -
Pinout
The IRFR5305TRPBF is an N-channel power MOSFET with a TO-252 package. It has 3 pins - Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of the IRFR5305T is to control the flow of electric current between the Drain and Source pins by applying a voltage to the Gate pin. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the IRFR5305TRPBF. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in power electronics, automotive and industrial applications, and chip card security. They are a global company with a strong presence in the technology industry. -
Application Field
The IRFR5305TRPBF is commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. It can also be used in electronic ballasts, inverters, and switching regulators due to its high voltage and high current capabilities. Additionally, it is ideal for use in automotive and industrial applications. -
Package
The IRFR5305TRPBF chip is a power MOSFET that comes in a TO-252AA (DPAK) package. It has a through-hole mounting style and measures 6.6mm x 9.3mm in size.
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