Infineon IRFS4310ZTRLPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: IRFS4310ZTRLPBF
Fiche de données: IRFS4310ZTRLPBF Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK
Statut RoHS:
État des stocks: 6000 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $1,759 | $1,759 |
10 | $1,551 | $15,510 |
30 | $1,420 | $42,600 |
100 | $0,988 | $98,800 |
500 | $0,927 | $463,500 |
800 | $0,901 | $720,800 |
In Stock:6000 PCS
IRFS4310ZTRLPBF Description générale
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standards
- Normal level : Optimized for 10V gate drive voltage
- Industry standard surface-mount power package
- High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
- Capable of being wave-soldered
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Source Content uid | IRFS4310ZTRLPBF |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 130 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 120 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.006 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-263AB | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 560 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Western union | charge US.00 banking fee. | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Fiche de données PDF
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