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$5000NTMD4840NR2G
The NTMD4840NR2G MOSFET is a dual N-channel device designed to accommodate voltages of up to 30V and currents of up to 4
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: NTMD4840NR2G
Fiche de données: NTMD4840NR2G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTMD4840NR2G Description générale
Whether you're designing a new circuit or replacing a worn-out component, NTMD4840NR2G is a versatile and reliable choice that will meet your needs. Its dual-channel design allows for greater flexibility in circuit configurations, making it a valuable tool for engineers and hobbyists alike. Trust NTMD4840NR2G to deliver consistent performance and durability in a compact and lead-free package
Caractéristiques
- High Power Density
- Fast Switching Time
- Low Inductance
- Dual Package
- Pb-Free Guarantee
- Reduced EMI
Application
- Laser Printers
- External Hard Drives
- Wi-Fi Routers
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 4.8 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.95 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | NTMD4840N | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Configuration: | Dual |
| Fall Time: | 3 ns | Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Height: | 1.5 mm | Length: | 5 mm |
| Product: | MOSFET Small Signal | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.6 ns | Width: | 4 mm |
| Unit Weight: | 0.002610 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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NTMD4840NR2G chip is a N-channel MOSFET power transistor designed for high-speed, high-voltage switching applications. It features a low on-resistance, high current capability, and a compact package size, making it ideal for use in power supply, motor control, and automotive applications. The chip offers efficient performance and reliable operation in demanding environments.
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Equivalent
The NTMD4840NR2G chip is equivalent to products like the MBRF2045CTG and MBRB2045CTG, which are Schottky Barrier Rectifiers with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The NTMD4840NR2G is an N-channel MOSFET transistor with a voltage rating of 40V, a current rating of 120A, and a power dissipation of 144W. It features a low on-resistance of 2.3 mΩ and is designed for high-efficiency power management applications. -
Pinout
The NTMD4840NR2G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin functions are typically Gate 1, Gate 2, Drain 1, Drain 2, Source 1, and Source 2. It's commonly used in power management applications due to its low on-resistance and high current handling capabilities. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMD4840NR2G is ON Semiconductor. It's a global supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for various industries. -
Application Field
The NTMD4840NR2G is a high-performance N-channel power MOSFET commonly used in various applications such as power management, motor control, and automotive systems. Its low on-resistance and high current handling capabilities make it suitable for a wide range of power electronics applications where efficiency and reliability are crucial. -
Package
The NTMD4840NR2G chip is in a DPAK (TO-252) package type, has a diode rectifier form, and measures 6.6mm x 9.35mm x 2.3mm in size.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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