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Infineon SGW25N120
IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Marques: INFINEON
Pièce Fabricant #: SGW25N120
Fiche de données: SGW25N120 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
type de produit: IGBT Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $15,585 | $15,585 |
| 200 | $6,031 | $1206,200 |
| 500 | $5,819 | $2909,500 |
| 1000 | $5,715 | $5715,000 |
In Stock:9458 PCS
SGW25N120 Description générale
Infineon offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers, welding and SMPS segments.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| IC max | 46.0 A | ICpuls max | 84.0 A |
| VCE max | 1200.0 V | Switching Frequency max | 40.0 kHz |
| Switching Frequency min | 10.0 kHz | Ptot max | 313.0 W |
| Package | TO-247 | Switching Frequency | Fast IGBT 10-40 kHz |
| Technology | IGBT Fast |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SGW25N120 chip is a power semiconductor device commonly used in various electronic applications. It is a silicon carbide (SiC) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) capable of handling high voltage and current. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and high temperature capability, making it suitable for power conversion and motor control requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SGW25N120 chip are the STW25N120K3, IRFW25N120D, HGTG25N120BN, and IHW25N120R3. -
Features
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) Schottky diode. Its features include a low forward voltage drop, fast switching capability, and high temperature operation. This diode also has a high surge current capability, low leakage current, and excellent thermal performance, making it suitable for various high-power applications. -
Pinout
The pin count of the SGW25N120 is 3. It has 2 pins for the drain and source, and 1 pin for the gate. The drain is the output terminal, the source is the ground terminal, and the gate controls the flow of current in the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SGW25N120. It is a multinational semiconductor manufacturer. -
Application Field
The SGW25N120 is a silicon carbide (SiC) power semiconductor designed for use in high-voltage, high-frequency applications. It can be used in various application areas, including industrial drives, renewable energy generation systems, electric vehicles, and high-efficiency power supplies. -
Package
The SGW25N120 chip is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). Its package type is TO-247 (Transistor Outline 247) which is a large, through-hole package. The size dimensions of the chip are approximately 15.5mm x 20.4mm.
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