Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

vishay SI1480DH-T1-GE3

2.6A Drain Current

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI1480DH-T1-GE3

Fiche de données: SI1480DH-T1-GE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-363-6

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SI1480DH-T1-GE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SI1480DH-T1-GE3 Description générale

The SI1480DH-T1-GE3 is a cutting-edge field-effect transistor that combines high performance with environmental consciousness. Its Silicon Metal-oxide Semiconductor construction ensures stability and reliability in demanding circuit applications, while the HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT design sets it apart as a socially responsible choice for electronics manufacturers. With its compact SC-70 package and 6-pin configuration, this transistor is easy to install and versatile enough to meet the needs of various design specifications

Caractéristiques

  • New generation power technology
  • Advanced power device solutions
  • Silicon-based switching innovations
  • Efficient energy transmission systems
  • Rugged and reliable performance guaranteed
  • High-speed switching and precision control

Application

  • Test applications
  • Power management
  • Renewable energy

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-363-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 2.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 13 ns Height 1 mm
Length 2.1 mm Product Type MOSFET
Rise Time 45 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 11 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Width 1.25 mm Part # Aliases SI1480DH-T1-BE3
Unit Weight 0.000265 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SI1480DH-T1-GE3 is a power management IC developed by Vishay Siliconix. It is designed for high-efficiency voltage regulation and features an integrated high-side switch and low-side driver, making it ideal for various applications in battery-powered devices, power tools, and industrial control systems.

  • Equivalent

    Some equivalent products of the SI1480DH-T1-GE3 chip are Infineon BSC010N04LSG, ON Semiconductor NPIC6C596D, and Fairchild Semiconductor FDC6324L. These chips are all Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.

  • Features

    1. N-channel Power MOSFET 2. 100V Drain-source voltage 3. 120A continuous drain current 4. Low on-resistance of 5.8mΩ 5. High power density TO-220 package with D2PAK footprint 6. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies

  • Pinout

    The SI1480DH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 6-pin DFN package. It is commonly used in power management applications due to its high efficiency and low on-resistance. The pins are typically used for gate, source, and drain connections for each MOSFET.

  • Manufacturer

    Vishay Intertechnology is the manufacturer of SI1480DH-T1-GE3. It is a global company specializing in the development and production of discrete semiconductors and passive electronic components for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.

  • Application Field

    SI1480DH-T1-GE3 is commonly used in DC-DC converters, power supplies, and motor drive applications due to its high efficiency and low power loss characteristics. It is also suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment where space and energy efficiency are key considerations.

  • Package

    The SI1480DH-T1-GE3 chip is a Dual N-Channel MOSFET in a PowerPAK® SC-70 package. It is a surface mount form with a size of 2.1mm x 2.0mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

OPA2604AU

TUSB320LAIRWBR

IRPS5401MTRPBF

LP2951ACDR2G

VN7050ASTR

NSI45015WT1G

S1B-13-F

D44VH10

BTA24-800BWRG

W25Q128FVSIQ

ML4824CS1

RL201

TL331MDBVTEP

STM32H730VBT6

IL358

IS31FL3236A-QFLS2-TR

LTC6363IMS8#PBF

10M25SAE144I7G

VNQ7E100AJTR

ADUM5401CRWZ

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

Apprendre encore plus Vishay Intertechnology, Inc les pièces

Blogues populaires

Plus de blogs