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$5000vishay SI3410DV-T1-GE3
Si3410DV Series 30 V 19.5 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TSOP-6
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI3410DV-T1-GE3
Fiche de données: SI3410DV-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TSOP-6
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3410DV-T1-GE3 Description générale
The TSOP-6 transistor case style allows for easy installation with its 6 pins, providing a secure connection in various electronic circuits. With an operating temperature maximum of 150°C, the SI3410DV-T1-GE3 is capable of withstanding high temperatures without compromising its performance. Additionally, this product meets MSL 1 - Unlimited standards, ensuring reliability and longevity in a variety of environments
Caractéristiques
- Quad-Port Power Sourcing Equipment (PSE) controller
- IEEE 802.3at Type I and II compliant
- Port priority shutdown control
- Adds enhanced features for maximum design flexibility:
- Per-port current and voltage monitoring
- PoE Plus support with programmable current limits
- Multi-point detection
- Programmable power MOSFET gate drive control
- Configurable watchdog timer enables failsafe operation
- Maskable interrupt pin
- Comprehensive fault protection circuitry includes:
- Power undervoltage lockout
- Output current limit and short circuit protection
- Thermal overload detection
- Supports pin-selectable AUTO mode
- Extended operating temp range: –40 to +85 °C
- 5x7 mm 38-pin QFN package (RoHS-compliant)
- On-chip dc-dc converter enables single-rail power operation
Application
- IEEE Power Sourcing Equipment (PSE)
- Power over Ethernet (PoE) Switches
- IP Phone Systems
- Smartgrid Switches
- Ruggedized and Industrial Switches
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 4.1 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Height: | 1.1 mm |
| Length: | 3.05 mm | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Width: | 1.65 mm | Part # Aliases: | SI3410DV-GE3 |
| Unit Weight: | 0.000705 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI3410DV-T1-GE3 is a power management chip designed for use in electronic devices. It provides functions such as voltage regulation, power monitoring, and thermal management. This chip is compact in size and optimized for high efficiency, making it ideal for applications in mobile devices, computers, and other consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SI3410DV-T1-GE3 chip are RT9701B, FP6290, and AP3415A. These chips are also high-efficiency synchronous step-down DC-DC converters with similar specifications and features. -
Features
SI3410DV-T1-GE3 features a 100V N-Channel MOSFET with low on-resistance, high power density, high efficiency, and fast switching speeds. It is designed for use in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and LED drivers. This MOSFET is housed in a compact PowerPAK SO-8 package for easy mounting and efficient thermal performance. -
Pinout
The SI3410DV-T1-GE3 is a 5-pin dual MOSFET with a function of switching and amplifying electronic signals. The pin count includes Gate 1, Gate 2, Source 1, Source 2, and Drain. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI3410DV-T1-GE3 is Vishay Semiconductor GmbH. It is a global company specializing in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Semiconductor GmbH focuses on providing innovative solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI3410DV-T1-GE3 is typically used in power management applications for portable and battery-powered devices such as smartphones, tablets, and wearable devices. It can also be utilized in various consumer electronics, industrial equipment, and automotive applications for voltage regulation, power sequencing, and power supply management. -
Package
The SI3410DV-T1-GE3 chip is available in a tiny DFN (Dual Flat No-leads) package. It has a form factor of 4 mm x 4 mm and a size of 8 mm².
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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