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vishay SI7850DP-T1-E3

Compact and rugged package for demanding applicatio

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Vishay

Pièce Fabricant #: SI7850DP-T1-E3

Fiche de données: SI7850DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 5 343 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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SI7850DP-T1-E3 Description générale

This MOSFET features a single-element, N-channel design, and is constructed using silicon metal-oxide semiconductor technology. The N-channel architecture allows for easy control of the flow of current, making it well-suited for use in circuits where precise power management is essential. Additionally, the metal-oxide semiconductor construction ensures high reliability and robust performance in demanding operating conditions

Caractéristiques

  • Fast switching capability
  • Pulse width modulation support
  • Low thermal resistance package

Application

Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications |Secondary Synchronous Rectifier

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case PowerPAK-SO-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 6.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 22 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 18 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI7 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 12 ns
Forward Transconductance - Min 26 S Height 1.04 mm
Length 6.15 mm Product Type MOSFET
Rise Time 10 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N Channel
Typical Turn-Off Delay Time 25 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Width 5.15 mm Part # Aliases SI7850DP-E3
Unit Weight 0.017870 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
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Western union Western union charge US.00 banking fee.
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Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications. It is manufactured by Vishay Siliconix and features low on-resistance and a small form factor. This chip is commonly used in various power management systems, such as DC-DC converters and motor control circuits, to improve efficiency and performance.
  • Features

    The SI7850DP-T1-E3 is a high-speed, low-loss MOSFET with a compact design. It offers low on-state resistance, fast switching capabilities, and a low profile package, making it suitable for power management applications such as DC-DC converters and motor control.
  • Pinout

    The SI7850DP-T1-E3 has a pin count of 8. It is a dual P-channel MOSFET with a 30V drain-source voltage and a -11.7A continuous drain current.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI7850DP-T1-E3 is Vishay Intertechnology, a global semiconductor and electronic components company.
  • Application Field

    The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET that is commonly used in various applications such as power supplies, voltage regulators, motor control circuits, and lighting applications. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
  • Package

    The SI7850DP-T1-E3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of Surface Mount, and a size of 5mm x 6mm x 1.6mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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