Commandes de plus de
$5000vishay SI7850DP-T1-E3
Compact and rugged package for demanding applicatio
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Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7850DP-T1-E3
Fiche de données: SI7850DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 5 343 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7850DP-T1-E3 Description générale
This MOSFET features a single-element, N-channel design, and is constructed using silicon metal-oxide semiconductor technology. The N-channel architecture allows for easy control of the flow of current, making it well-suited for use in circuits where precise power management is essential. Additionally, the metal-oxide semiconductor construction ensures high reliability and robust performance in demanding operating conditions
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Caractéristiques
- Fast switching capability
- Pulse width modulation support
- Low thermal resistance package
Application
Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications |Secondary Synchronous RectifierCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 6.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 22 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 26 S | Height | 1.04 mm |
Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7850DP-E3 |
Unit Weight | 0.017870 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications. It is manufactured by Vishay Siliconix and features low on-resistance and a small form factor. This chip is commonly used in various power management systems, such as DC-DC converters and motor control circuits, to improve efficiency and performance.
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Features
The SI7850DP-T1-E3 is a high-speed, low-loss MOSFET with a compact design. It offers low on-state resistance, fast switching capabilities, and a low profile package, making it suitable for power management applications such as DC-DC converters and motor control. -
Pinout
The SI7850DP-T1-E3 has a pin count of 8. It is a dual P-channel MOSFET with a 30V drain-source voltage and a -11.7A continuous drain current. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7850DP-T1-E3 is Vishay Intertechnology, a global semiconductor and electronic components company. -
Application Field
The SI7850DP-T1-E3 is a power MOSFET that is commonly used in various applications such as power supplies, voltage regulators, motor control circuits, and lighting applications. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. -
Package
The SI7850DP-T1-E3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of Surface Mount, and a size of 5mm x 6mm x 1.6mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits