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Infineon SPP11N65C3

High voltage N-channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: SPP11N65C3

Fiche de données: SPP11N65C3 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-220

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3426 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SPP11N65C3 Description générale

SPP11N65C3 is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power transistor designed for high performance and efficiency in power applications. It has a maximum drain-source voltage (VDS) of 650V and a continuous drain current (ID) of 11A. The on-state resistance (RDS(on)) is typically 0.5 ohms, which helps to minimize power losses and improve efficiency.This MOSFET also features a fast switching speed, which makes it suitable for applications that require high-frequency operation. The gate charge (Qg) is around 49nC, ensuring quick and reliable switching performance.The SPP11N65C3 is housed in a TO-220 package, which provides thermal stability and easy mounting on a PCB. It also has a low thermal resistance, which helps to dissipate heat efficiently and maintain a stable operating temperature.

spp11n65c3

Caractéristiques

  • 650V breakdown voltage
  • 11A continuous drain current
  • Low on-resistance of 0.65 ohms
  • High-speed switching performance
  • Enhanced switching reliability
  • Low gate charge for efficient operation
spp11n65c3

Application

  • Switched-mode power supplies
  • Motor control applications
  • Lighting systems
  • Consumer electronics
  • Industrial applications
  • Automotive systems
  • Power factor correction
  • Solar inverters
  • UPS (Uninterruptible Power Supplies)
  • High power density converters

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
RthJC max 1.0 K/W VGS(th) max 3.9 V
VGS(th) min 2.1 V IDpuls max 33.0 A
RthJA max 62.0 K/W Operating Temperature min -55.0 °C
Ptot max 125.0 W VDS max 650.0 V
Mounting THT Mode Enhancement
Package TO-220 Polarity N
ID max 11.0 A

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SPP11N65C3 chip is a power MOSFET designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for various power management tasks. The chip has a voltage rating of 650V and can handle current up to 11A. It is commonly used in industrial and automotive applications where efficient power control is required.
  • Features

    SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor that offers a low on-resistance and high switching performance. It has a drain-source voltage of 650V, a maximum drain current of 11A, and a minimum threshold voltage of 3V. The transistor is suitable for various power applications such as motor control, high-frequency converters, and power supplies.
  • Pinout

    The SPP11N65C3 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching action, while the Drain and Source pins handle the flow of current. This MOSFET is designed for high-power applications.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SPP11N65C3. It is a German semiconductor manufacturing company specializing in the production of power semiconductors and system solutions.
  • Application Field

    The SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor primarily used in high-performance switching applications such as power supplies, motor control, and inverter systems.
  • Package

    The package type of the SPP11N65C3 chip is TO220-3 MOSFET. The form of the chip is through-hole. The size of the chip is approximately 10.67 mm x 9.78 mm x 4.83 mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire SPP11N65C3 PDF Télécharger

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  • shipping

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  • garantie

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