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Infineon SPP11N80C3
SPP11N80C3 is a power MOSFET featuring an 800-volt rating and an 11-amp current capacity in its N-channel
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: SPP11N80C3
Fiche de données: SPP11N80C3 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220
Statut RoHS:
État des stocks: 3235 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,904 | $2,904 |
| 10 | $2,575 | $25,750 |
| 50 | $2,381 | $119,050 |
| 100 | $2,183 | $218,300 |
| 500 | $2,091 | $1045,500 |
| 1000 | $2,051 | $2051,000 |
In Stock:3235 PCS
SPP11N80C3 Description générale
The SPP11N80C3 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-voltage applications. It has a drain-source voltage of 800V and a continuous drain current of 11A, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. This MOSFET features a low on-state resistance of 0.55 ohms, allowing for efficient power dissipation and high power density. It also has a low gate charge of 13nC, enabling fast switching speeds and reduced switching losses.The SPP11N80C3 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and easy mounting on a printed circuit board. It has a maximum junction temperature of 150°C, ensuring reliable operation under high-temperature conditions.This MOSFET is designed for use in power supplies, motor control, inverters, and other high-power applications where efficiency and reliability are critical. Its high voltage and current ratings, low on-state resistance, and fast switching speeds make it an ideal choice for demanding industrial and automotive applications.
Caractéristiques
- 1100V rated voltage
- 11A continuous drain current
- 3.5V gate source threshold voltage
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High ruggedness
- Enhanced power dissipation
- RoHS compliant
- TO-220 packaging
Application
- Switch mode power supplies
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicle charging systems
- Industrial motor drives
- Solar inverters
- Induction heating systems
- Power factor correction systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 33.0 A | RthJC max | 0.8 K/W |
| RthJA max | 62.0 K/W | Ptot max | 156.0 W |
| VDS max | 800.0 V | Polarity | N |
| ID max | 11.0 A | RDS (on) max | 450.0 mΩ |
| Mounting | THT | Special Features | price/performance |
| Package | TO-220 | VGS(th) max | 3.9 V |
| VGS(th) min | 2.1 V | Operating Temperature max | 150.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le SPP11N80C3 composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : IRFP450,
Marques :
Emballer :
Description : IRFP460, IRFP4768, IRFP4868, FCP11N80, FCP12N80, FCPF11N80, FCPF12N80, STP11NM80, STP11NK80, STP11NM80FP, STP11NK80ZFP.
Points de pièce
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The SPP11N80C3 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It offers low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high power applications. The chip has a breakdown voltage of 800V and a maximum continuous drain current of 11A, making it well-suited for demanding power electronics designs.
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Equivalent
Some equivalent products of the SPP11N80C3 chip include SPB11N80C3, SPA11N80C3, and SPM11N80C3. These chips offer similar specifications and features, making them potential substitutes for the SPP11N80C3. -
Features
The features of SPP11N80C3 include a breakdown voltage of 800V, a continuous drain current of 11A, and a low on-resistance of 0.33Ω. It also offers a fast switching capability, a low gate charge, and is suitable for a wide range of applications, including power supplies, motor control, and lighting. -
Pinout
The SPP11N80C3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It is designed to handle high current and voltage applications. The pins are typically labeled as Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the SPP11N80C3. It is a semiconductor manufacturing company based in Germany. -
Application Field
The SPP11N80C3 is a high-voltage power MOSFET that can be used in various application areas including power supply, motor control, lighting, and audio amplification. It is designed to handle high-voltage and high-current loads with low on-resistance, making it suitable for applications requiring efficient power management and reliable performance. -
Package
The SPP11N80C3 chip comes in a TO-220 package type, which is a through-hole package with three pins for easy installation on a circuit board. The form describes the physical design and structure of the chip, and the size is in accordance with the TO-220 package dimensions.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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![BSZ146N10LS5ATMA1]()
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![IRFB4410ZPBF]()
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