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$5000TOSHIBA SSM3K56FS,LF
This MOSFET is designed for N-channel operation and utilizes U-MOSVI technology, providing a maximum drain current of 0
Marques: Toshiba
Pièce Fabricant #: SSM3K56FS,LF
Fiche de données: SSM3K56FS,LF Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-416-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SSM3K56FS,LF Description générale
The SSM3K56FS,LF's compact design and high efficiency make it a standout choice for engineers looking to optimize their circuit designs for low power consumption. Its superior characteristics, such as the low threshold voltage and ON-resistance, allow for seamless operation in battery-operated devices and other applications where efficiency is paramount. Furthermore, its wide temperature range ensures that it can handle diverse operating conditions with ease, providing a versatile solution for a range of electronic systems
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-416-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 235 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | Qg - Gate Charge: | 1 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | U-MOSVII-H | Series: | SSM3K56 |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single | Height: | 0.7 mm |
Length: | 1.6 mm | Product Type: | MOSFET |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns | Width: | 0.8 mm |
Unit Weight: | 0.000085 oz | Series | U-MOSVII-H |
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 800mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55 pF @ 10 V | Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SSM | Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Base Product Number | SSM3K56 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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